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Détails des produits

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Puces TI
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ST chip STW4N150 N-channel 1500 V 6 Ω typ. 4 A PowerMESH Power MOSFET dans les boîtiers TO-220 TO-247 et TO-3PF

ST chip STW4N150 N-channel 1500 V 6 Ω typ. 4 A PowerMESH Power MOSFET dans les boîtiers TO-220 TO-247 et TO-3PF

Nom De La Marque: ST chip
Numéro De Modèle: STW4N150
Quantité Minimale De Commande: 600
Détails De L'emballage: 600 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
modèle:
STW4N150
Nom du produit:
Puce ST
Taper:
Par le trou
Courant continu de drain:
4 A
Dissipation de puissance:
160 W
Caractéristiques:
Commutation à grande vitesse
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

STW4N150 Power MOSFET

,

MOSFET de puissance 1500V

,

MOSFET de puissance 6Ω

Description du produit

ST chip STW4N150 N-channel 1500 V, 6 Ω typ., 4 A, PowerMESH Power MOSFET dans les boîtiers TO-220, TO-247 et TO-3PF


Caractéristiques
• 100% testé en avalanche
• Capacités intrinsèques et Qg minimisées
• Commutation à haute vitesse
• Boîtier plastique TO-3PF entièrement isolé

Applications 
• Applications de commutation

Description 
Ces Power MOSFET sont conçus en utilisant le procédé consolidé STMicroelectronics
basé sur la disposition en bande MESH OVERLAY. Le résultat est un produit qui correspond ou
améliore les performances des pièces standard comparables d'autres fabricants

Caractéristiques électriques
ST chip STW4N150 N-channel 1500 V 6 Ω typ. 4 A PowerMESH Power MOSFET dans les boîtiers TO-220 TO-247 et TO-3PF


ST chip STW4N150 N-channel 1500 V 6 Ω typ. 4 A PowerMESH Power MOSFET dans les boîtiers TO-220 TO-247 et TO-3PF