- টাইপ রেডিয়েশনঃ ১২০ ডিগ্রি (ল্যাম্বার্টিয়ান ইমিটার)
- ESD: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 অনুযায়ী 8 kV (HBM, ক্লাস 3B)
- আলোক প্রবাহঃ সাধারণত ১১৫ lm
- আলোর কার্যকারিতাঃ সাধারণত ১৫৬ lm/W
এই এলইডি উপাদানটির সর্বোচ্চ রেটিং নিম্নরূপ সংজ্ঞায়িত করা হয়েছেঃ অপারেটিং তাপমাত্রা (উপরের) সর্বনিম্ন -40 °C থেকে সর্বোচ্চ 125 °C পর্যন্ত,যখন স্টোরেজ তাপমাত্রা (Tst9) -40 °C থেকে 125 °C পর্যন্ত বিস্তৃতসর্বাধিক জংশন তাপমাত্রা (Tj) 135 °C এ নির্দিষ্ট করা হয়। সামনের স্রোতের জন্য (I_F), সর্বনিম্ন মান 100 mA এবং সর্বাধিক 1000 mA।প্রবাহ প্রবাহ (I_FS) এর সর্বোচ্চ নামমাত্র 2000 mA, t ≤ 10 μs অবস্থার অধীনে প্রযোজ্য, কাজের চক্র D = 0।005, এবং জংশন তাপমাত্রা Tj = 25 °C. সর্বোচ্চ বিপরীত বর্তমান (I_R) 200 mA হয়। উপরন্তু, ESD প্রতিরোধ ভোল্টেজ (V_ESD) ANSI / ESDA / JEDEC JS-001 (HBM,ক্লাস 3B) মান 8 kV এর নামমাত্র.
একটি সামনের স্রোতের পরীক্ষার শর্তে (আমিএফ) 350 mA এবং একটি সংযোগ তাপমাত্রা (টিJ(২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস) এই এলইডি নিম্নলিখিত প্রধান বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করেঃλপিইএ কে) সাধারণত 625 nm হয়।λdom) পরিমাপ করা হয়আমিএফ= 350 mA, সর্বনিম্ন মান 609 nm, সাধারণ মান 617 nm, এবং সর্বোচ্চ মান 620 nm।Δλ) সাধারণত ১৬ এনএম হয়। উল্লম্ব আলোর তীব্রতার ৫০% এ দেখার কোণ (2φ) এর একটি সাধারণ মান 120°।Vএফ) পরীক্ষা করা হয়আমিএফ= 350 mA, সর্বনিম্ন মান 1.80 V, সাধারণ মান 2.10 V, এবং সর্বোচ্চ মান 2.60 V। বিপরীত ভোল্টেজ (VR) একটি বিপরীত বর্তমান (আমিR) এর 20 mA এর সর্বাধিক নাম্বার 1.2 V। উপরন্তু, জংশন এবং সোল্ডার পয়েন্টের মধ্যে বৈদ্যুতিক তাপীয় প্রতিরোধের (RthJএসইআমিইসি.) একটি বৈদ্যুতিক দক্ষতা (ηই) এর 50% সাধারণত 2.7 K/W হয়।