تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقائق تي آي

TPS73201DBVR TI رقائق TPS732 مكثف مجاني NMOS 250mA منظم انخفاض الجهد مع حماية التيار العكسي

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

TPS73201DBVR TI رقائق TPS732 مكثف مجاني NMOS 250mA منظم انخفاض الجهد مع حماية التيار العكسي

اسم العلامة التجارية:	TI Chips
رقم الموديل:	TPS73201DBVR
موك:	3000
تفاصيل التغليف:	3000 قطعة/بكرة
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

نموذج:

TPS73201DBVR

اسم المنتج:

رقائق تي آي

يكتب:

سمد/سمت

تيار الإخراج:

250 مللي أمبير

تيار هادئ:

550 ش

التراجع الجهد:

40 مللي فولت

القدرة على العرض:

1000000

إبراز:

TPS73201DBVR

TPS73201 رقائق TI

منظم انخفاض الجهد 250mA

وصف المنتج

رقائق TI TPS73201DBVR TPS732 منظم جهد منخفض التسرب (LDO) بدون مكثف، NMOS، 250 مللي أمبير، مع حماية من التيار العكسي

الميزات

• مستقر بدون مكثف خرج أو أي قيمة أو

نوع مكثف

• نطاق جهد الدخل: 1.7 فولت إلى 5.5 فولت

• جهد تسرب منخفض للغاية: 40 مللي فولت نموذجي عند 250 مللي أمبير

• استجابة ممتازة لتبدلات الحمل - مع أو بدون

مكثف خرج اختياري

• يوفر هيكل NMOS تسربًا عكسيًا منخفضًا

تيار

متوفر بإصدارات متعددة لجهد الخرج: ضوضاء منخفضة: 30 ميكروفولتلتشغيل VCOs. هذا الجهاز محمي بواسطة نموذجي (من 10 كيلو هرتز إلى

100 كيلو هرتز)

متوفر بإصدارات متعددة لجهد الخرج: دقة أولية 0.5%

متوفر بإصدارات متعددة لجهد الخرج: دقة إجمالية 1% (خط، حمل، ودرجة حرارة)

متوفر بإصدارات متعددة لجهد الخرج: أقل من 1 ميكرو أمبير كحد أقصى IQ في وضع الإيقاف

متوفر بإصدارات متعددة لجهد الخرج: حماية من الإغلاق الحراري وحد تيار أدنى ومحدد

•

متوفر بإصدارات متعددة لجهد الخرج: – مخارج ثابتة من 1.2 فولت إلى 5 فولت

– مخارج قابلة للتعديل من 1.2 فولت إلى 5.5 فولت

– مخارج مخصصة متاحة

التطبيقات

• معدات محمولة تعمل بالبطارية

• تنظيم ما بعد إمدادات التبديل

• دوائر حساسة للضوضاء مثل VCOs

• تنظيم نقطة الحمل لـ DSPs و FPGAs و المعالجات الدقيقة

الوصف

يستخدم منظم الجهد منخفض التسرب (LDO) TPS732

ترانزستور مرور NMOS في تكوين تابع للجهد.

هذا الهيكل مستقر باستخدام مكثفات خرج

ذات مقاومة تسلسلية مكافئة (ESR) منخفضة،

ويسمح حتى بالتشغيل بدون مكثف.

يوفر الجهاز أيضًا حظرًا عكسيًا عاليًا (تيار

عكسي منخفض) وتيار دبوس أرضي ثابت تقريبًا

عبر جميع قيم تيار الخرج.

يستخدم TPS732 عملية BiCMOS متقدمة

لتحقيق دقة عالية مع توفير جهود تسرب منخفضة جدًا

وتيار دبوس أرضي منخفض. استهلاك التيار،

عندما لا يكون ممكّنًا، أقل من 1 ميكرو أمبير ومصمم

للتطبيقات المحمولة. الضوضاء الخارجية المنخفضة للغاية

(30 ميكروفولت RMS مع 0.1 ميكروفاراد C

) مصممة لتشغيل VCOs. هذا الجهاز محمي بواسطة الإغلاق الحراري وحد تيار الانحناء.

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

TPS73201DBVR TI رقائق TPS732 مكثف مجاني NMOS 250mA منظم انخفاض الجهد مع حماية التيار العكسي

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي