رقائق TI LP38692MPX-3.3/NOPB LP38690، LP38692 منظمات خطية CMOS منخفضة التسرب 1 أمبير مستقرة مع مكثفات خرج سيراميك
الميزات
• نطاق جهد دخل واسع (2.7 فولت إلى 10 فولت)
• دقة خرج 2.5% (25 درجة مئوية)
• جهد تسرب منخفض: 450 مللي فولت عند 1 أمبير
(نموذجي، 5 فولتالخارج)
• مرجع نطاق ترددي دقيق (مُقلم)
• مواصفات مضمونة لـ –40 درجة مئوية إلى 125 درجة مئوية
• تيار هادئ في حالة الإيقاف 1 ميكرو أمبير
• حماية من الحمل الزائد الحراري
• تحديد تيار الطي
• حزم TO-252 بثلاثة أسلاك، SOT-223 بخمسة أسلاك، و 6-Bump
WSON
• دبوس تمكين (LP38692)
• تيار دبوس الأرضي: 55 ميكرو أمبير (نموذجي) عند الحمل الكامل
• جهد خرج دقيق: دقة 2.5% (25 درجة مئوية)
التطبيقات
• محركات الأقراص الصلبة
• أجهزة الكمبيوتر المحمولة
• الأجهزة التي تعمل بالبطارية
• أدوات القياس المحمولة
الوصف
منظمات
LP38690 و LP38692 الخطية CMOS منخفضة التسربتوفر تحمل خرج دقيق (2.5% نموذجي)،
جهد تسرب منخفض للغاية (450 مللي فولت عند
تيار حمل 1 أمبير، Vالخارج= 5 فولت)، وأداء AC ممتاز باستخدام مكثفات خرج سيراميك ESR منخفضة للغاية.
تسمح المقاومة الحرارية المنخفضة لحزم WSON و SOT-223 و TO-252 باستخدام تيار التشغيل الكامل حتى في بيئات درجات الحرارة المحيطة المرتفعة.
يعني استخدام ترانزستور طاقة PMOS أنه لا يلزم وجود تيار قيادة قاعدة DC لتحيزها، مما يسمح لتيار دبوس الأرضي بالبقاء أقل من 100 ميكرو أمبير بغض النظر عن تيار الحمل أو جهد الدخل أو درجة حرارة التشغيل.