logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
chip TI
Created with Pixso.

TPD4E1B06DCKR TI Chip TPD4E1B06 Thiết bị bảo vệ ESD rò rỉ cực thấp 4 kênh

TPD4E1B06DCKR TI Chip TPD4E1B06 Thiết bị bảo vệ ESD rò rỉ cực thấp 4 kênh

Tên thương hiệu: TI chips
Số mô hình: TPD4E1B06DCKR
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
Tài liệu:
người mẫu:
TPD4E1B06DCKR
Tên sản phẩm:
chip TI
Kiểu:
SMD/SMT
Nhiệt độ hoạt động:
- 40°C~+ 125°C
Điện áp hoạt động:
5,5 V
Đỉnh xung hiện tại:
3 a
Khả năng cung cấp:
1000000
Làm nổi bật:

TPD4E1B06DCKR

,

Các chip TI TPD4E1B06

,

Thiết bị bảo vệ ESD 4 kênh

Mô tả sản phẩm

Chip TI TPD4E1B06DCKR TPD4E1B06 Thiết bị bảo vệ ESD rò rỉ cực thấp 4 kênh


Đặc điểm
• Điện rò rỉ cực thấp 0,5nA (tối đa)
• Bảo vệ tạm thời cho 4 đường I/O:
IEC 61000-4-2 Khả năng xả tiếp xúc ± 12kV
IEC 61000-4-2 Air-Gap Discharge ± 15kV
IEC 61000-4-5 3.0A (8/20μs)
• Capacitance I / O 0,7pF (thường)
• Mảng diode bảo vệ ESD hai chiều
• Điện áp kẹp ESD thấp
• Phạm vi nhiệt độ công nghiệp: 40°C đến 125°C
• Các gói DRL và DCK nhỏ, dễ dàng di chuyển

Ứng dụng
• Máy đo glucose
• Bảng thuốc
• GPS
• Máy phát truyền hình di động
• TV
• Hộp set-top

Mô tả
TPD4E1B06 là một 4 kênh hai chiều
Đĩa diode bảo vệ xả điện tĩnh (ESD).
Thiết bị này có dòng chảy rò rỉ cực thấp (0.5nA)
Đối với các phép đo tương tự chính xác, ± 12kV
Tiếp xúc và khoảng cách không khí ± 15kV vượt quá bảo vệ ESD
Các yêu cầu IEC 61000-4-2 cấp 4
Capacity đường dây 0,7pF của thiết bị làm cho nó phù hợp với
Analog chính xác, USB2.0, Ethernet, SATA, LVDS, và
1394 giao diện.
TPD4E1B06DCKR TI Chip TPD4E1B06 Thiết bị bảo vệ ESD rò rỉ cực thấp 4 kênh
TPD4E1B06DCKR TI Chip TPD4E1B06 Thiết bị bảo vệ ESD rò rỉ cực thấp 4 kênh