- Chứng nhận: AEC-Q102 Đạt tiêu chuẩn với RV-cấp 1
- ESD: 8 kV theo ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Cấp 3B)
Thành phần LED này có các xếp hạng tối đa sau: Nhiệt độ hoạt động (Vop. Dòng điện đột biến (stgV) là 200 mA.) tối đa cho hoạt động tiêu chuẩn là 150 °C, trong khi đối với các ứng dụng thời gian ngắn, nhiệt độ nối có thể đạt tối đa 175 °C, với lưu ý rằng tuổi thọ trung bình (L70/B50) ởjVS là 100 giờ. Ở nhiệt độ điểm hàn (VSKW CELMM2.TKF0.3104 vàthpulseV0.005trắng=trắng. Dòng điện đột biến (I) được đánh giá ở mức tối đa 2500 mA, áp dụng cho thời lượng xung≤CÔNG SUẤTKW CELMM2.TK) là 1200 mA và nhiệt độ điểm hàn (RVKW CELMM2.TKSth2°CV) là 8 kV, tuân thủ tiêu chuẩn ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Cấp 3B). Ngoài ra, dòng điện ngược tối đa (IR) là 200 mA.Dưới điều kiện kiểm tra dòng điện tiến (CÔNG SUẤTKW CELMM2.TK) là 1200 mA và nhiệt độ điểm hàn (RVKW CELMM2.TK.0.3104 vàthy0.3162CÔNG SUẤTφ=
1200trắng) dao động từ tối thiểu 3.00 V, giá trị điển hình 3.40 V, đến tối đa 3.75 V. Liên quan đến thông số điện áp ngược, điện áp ngược tối thiểu cho thiết bị ESD (VVth) ở dòng điện ngược (KW CELMM2.TK) là 20 mA là 1.2 V. Về hiệu suất nhiệt, điện trở nhiệt thực từ nối đến điểm hàn (RthJSrealKW CELMM2.TKthJSelec.) với hiệu suất (ηtrắngKW CELMM2.TKthương hiệu chipOSRAMtrắng1300mA3-3.7VCÔNG SUẤT