logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
ชิป ADI
Created with Pixso.

LTC4357IMS8#TRPBF Linear Technology ชิปควบคุมไดโอดในอุดมคติแรงดันสูงบวก เวลาปิด 0.5µs

LTC4357IMS8#TRPBF Linear Technology ชิปควบคุมไดโอดในอุดมคติแรงดันสูงบวก เวลาปิด 0.5µs

ชื่อแบรนด์: ADI
หมายเลขรุ่น: LTC4357IMS8#TRPBF
ขั้นต่ำ: 500ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 500 ชิ้น / รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
เอกสาร:
แบบอย่าง:
LTC4357IMS8#TRPBF
ชื่อสินค้า:
เอดีไอ
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ:
9 วี-80 วี
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 55 องศาเซลเซียส~+ 125 องศาเซลเซียส
การห่อหุ้ม:
รอก
สามารถในการผลิต:
10,000
เน้น:

LTC4357IMS8#TRPBF ตัวควบคุมไดโอดในอุดมคติ

,

Linear Technology ชิปควบคุมไดโอด

,

ตัวควบคุมเวลาปิด 0.5µs

รายละเอียดสินค้า

ADI ชิป LTC4357IMS8#TRPBF ตัวควบคุมไดโอดในอุดมคติแรงดันสูงบวก 0.5µs เวลาปิด จำกัดกระแสไฟผิดพลาดสูงสุด


แรงดันสูงบวก ตัวควบคุมไดโอดในอุดมคติ

คุณสมบัติ
ลดการสูญเสียพลังงานโดยการแทนที่
ไดโอด Schottky ด้วย MOSFET แบบ N-Channel
0.5µs เวลาปิด จำกัดกระแสไฟผิดพลาดสูงสุด
ช่วงแรงดันไฟฟ้าทำงานกว้าง: 9V ถึง 80V
การสลับที่ราบรื่นโดยไม่มีการสั่น
ไม่มีกระแส DC ย้อนกลับ
มีให้เลือกในแพ็คเกจ DFN แบบ 6-Lead (2mm×3 มม.) และ
แพ็คเกจ MSOP แบบ 8-Lead
 
การใช้งาน
แหล่งจ่ายไฟสำรอง N + 1
ระบบที่มีความพร้อมใช้งานสูง
ระบบ AdvancedTCA
โครงสร้างพื้นฐานโทรคมนาคม
ระบบยานยนต์

คำอธิบาย
LTC®4357 เป็นตัวควบคุมไดโอดในอุดมคติแรงดันสูงบวกที่ขับ MOSFET ช่อง N ภายนอกเพื่อแทนที่
ไดโอด Schottky เมื่อใช้ในแอปพลิเคชันไดโอด-OR และกระแสสูง
LTC4357 ช่วยลดการใช้พลังงาน การกระจายความร้อน การสูญเสียแรงดันไฟฟ้า และพื้นที่บอร์ด PC
LTC4357 รวมแหล่งพลังงานได้อย่างง่ายดายเพื่อเพิ่มความน่าเชื่อถือของระบบโดยรวม ในแอปพลิเคชันไดโอด-OR, LTC4357
ควบคุมแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมไปข้างหน้าของ MOSFET เพื่อ
ให้แน่ใจว่ามีการถ่ายโอนกระแสที่ราบรื่นจากเส้นทางหนึ่งไปยังอีกเส้นทางหนึ่ง
โดยไม่มีการสั่น หากแหล่งพลังงานล้มเหลวหรือลัดวงจร
การปิดอย่างรวดเร็วจะลดทรานซิสเตอร์กระแสย้อนกลับให้เหลือน้อยที่สุด
แอปพลิเคชันทั่วไป

LTC4357IMS8#TRPBF Linear Technology ชิปควบคุมไดโอดในอุดมคติแรงดันสูงบวก เวลาปิด 0.5µsLTC4357IMS8#TRPBF Linear Technology ชิปควบคุมไดโอดในอุดมคติแรงดันสูงบวก เวลาปิด 0.5µs