| Nombre De La Marca: | TI Chips |
| Número De Modelo: | SN65LBC184P |
| Cantidad Mínima De Pedido: | 2500 |
| Detalles De Embalaje: | 2500PCS/carrete |
| Condiciones De Pago: | T/T |
TI Chips SN65LBC184P SNx5LBC184 Transceptor Diferencial con Supresión de Voltaje Transitorio
Características
Supresión de voltaje transitorio integrada
Protección ESD para terminales de bus excede:
±30kV IEC 61000-4-2, descarga de contacto
±30kV IEC 61000-4-2, descarga de espacio de aire
±15kV Modelo de cuerpo humano EIA/JEDEC
Protección contra daños en el circuito de 400W pico (típico)
por IEC 61000-4-5
Velocidades de slew de voltaje de salida del controlador controladas permiten
longitudes de cable de stub más largas
250kbps en entornos con mucho ruido eléctrico
Diseño de receptor a prueba de fallas por circuito abierto
La carga de 1/4 de unidad permite 128 dispositivos conectados en
bus
Protección contra apagado térmico
Protección contra fallas de encendido y apagado
Cada transceptor cumple o excede los
requisitos de los estándares TIA/EIA-485 (RS-485) e
ISO/IEC 8482:1993(E)
Baja corriente de suministro deshabilitada 300µA máximo
Compatible pin a pin con SN75176
Aplicaciones
Redes industriales
Medidores de servicios públicos
Control de motores
Descripción
Los dispositivos SN75LBC184 y SN65LBC184 son
transceptores de línea de datos diferenciales en el formato estándar de la industria
del SN75176 con protección incorporada
contra transitorios de ruido de alta energía. Esta característica
proporciona un aumento sustancial en la confiabilidad para una mejor
inmunidad a los transitorios de ruido acoplados al cable de datos
en comparación con la mayoría de los dispositivos existentes. El uso de estos
circuitos proporciona una interfaz de línea de datos confiable de bajo costo y acoplamiento directo
(sin transformador de aislamiento)
sin requerir componentes externos.
Los SN75LBC184 y SN65LBC184 pueden soportar
transitorios de sobretensión de 400W pico (típico). La
onda combinada convencional especificada en IEC
61000-4-5 simula el transitorio de sobretensión y
modela una sobretensión unidireccional causada por sobretensiones
de conmutación y transitorios de rayos secundarios.
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