Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

SYNIOS S2222 Желтый 580/595нм Угол луча 120 KY DDLM31.FY 3V 200mA 0.6W Светодиодный чип Диод Ams-OSRAM

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

SYNIOS S2222 Желтый 580/595нм Угол луча 120 KY DDLM31.FY 3V 200mA 0.6W Светодиодный чип Диод Ams-OSRAM

Название бренда:	ams-osram
Номер модели:	КАЙ DDLM31.FY
минимальный заказ:	4000 штук
Детали упаковки:	4000ПК/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Световая эффективность (лм/Вт):

Излучающий цвет:

желтый

Прямой ток:

200 мА

Входное напряжение (В):

Рабочая температура (℃):

-40 - 110

Смд светодиод

Угол обзора (°):

Название продукта:

КАЙ DDLM31.FY

Приложения:

Архитектура/Садовое освещение (LED Laser)

Упаковка:

белая упаковка SMT, цветная диффузная силиконовая смола

Поставка способности:

1000000

Выделить:

S2222 OSRAM Чип

595нм Желтый OSRAM Чип

0.6W Желтый OSRAM Чип

Описание продукта

SYNIOS S2222 Желтый 580/595 нм Угол луча 120 KY DDLM31.FY 3V 200mA 0.6W Светодиодный чип Диод Ams-OSRAM

SYNIOS™ S2222

KY DDLM31.FY

Этот квадратный корпус с контуром всего 2 мм сочетает в себе лучшую

производительность и небольшую площадь. Централизованный чип позволяет легко

интегрировать в оптические системы. Доступность различных

основных цветов и точек белого обеспечивает максимальную гибкость в различных

областях применения.

Применение

- Контроль доступа и безопасность

- Окружающее освещение

- Бытовая техника и инструменты

- Динамическая сигнализация

- Развлечения

- Автоматизация производства

- Автоматизация домов и зданий

- Внутреннее освещение

- Обработка материалов

- Проекция и дисплей

Особенности

- Корпус: белый корпус SMT, цветная диффузная силиконовая смола

- Технология чипа: объемный эмиттер на сапфире (AlInGaN)

- Тип. излучение: 120° (ламбертовский эмиттер)

- Цвет: Cx = 0,57, Cy = 0,42 согласно CIE 1931 (● преобразованный желтый)

- ESD: 2 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2)

Абсолютные максимальные рейтинги этого светодиодного компонента определяются следующим образом: Рабочая температура () варьируется от минимума -40 °C до максимума 110 °C, в то время как температура хранения () также составляет от -40 °C до 110 °C. Максимально допустимая температура перехода () составляет 125 °C. Для прямого тока (), измеренного при температуре поверхности , минимальное значение составляет 10 мА, а максимальное - 200 мА. Импульсный ток () имеет максимальный рейтинг 300 мА, применимый в условиях длительности импульса , коэффициент заполнения , и температура поверхности . Обратное напряжение (), измеренное при , имеет максимальный рейтинг 5 В. Кроме того, напряжение устойчивости к ESD () соответствует стандарту ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2) с номинальным значением 2 кВ.

Измеренный при прямом токе () 140 мА и температуре поверхности () 25 °C, этот светодиодный компонент демонстрирует следующие ключевые характеристики производительности: Типичные координаты цветности составляют и . Угол обзора при 50% от вертикальной силы света () имеет типичное значение 120°. Для прямого напряжения (), измеренного при мА, минимальное значение составляет 2,60 В, типичное значение - 3,15 В, а максимальное - 3,40 В. Обратный ток (), измеренный при обратном напряжении () 5 В, имеет типичное значение 0,01 мкА и максимальное значение 10 мкА. Кроме того, реальное тепловое сопротивление между переходом и точкой пайки () имеет типичное значение 42 К/Вт и максимальное значение 57 К/Вт. Электрическое тепловое сопротивление между переходом и точкой пайки (), с электрической эффективностью () 37%, имеет типичное значение 26 К/Вт и максимальное значение 36 К/Вт.

Этот квадратный корпус с контуром всего 2 мм сочетает в себе лучшую производительность и небольшую площадь. Централизованный чип позволяет легко интегрировать в оптические системы. Доступность различных основных цветов и точек белого обеспечивает максимальную гибкость в различных областях применения.

название продукта	KY DDLM31.FY
Бренд	OSRAM
ЦВЕТ	Желтый (580-595 нм)
Прямой ток	200мА
Прямое напряжение	3В

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

SYNIOS S2222 Желтый 580/595нм Угол луча 120 KY DDLM31.FY 3V 200mA 0.6W Светодиодный чип Диод Ams-OSRAM

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI