logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Дом
О нас
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
решения
Видео
Новости
Свяжитесь мы
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Цитата
Дом
О нас
Направление компании
Путешествие фабрики
Проверка качества
Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
решения
Видео
Блог
Свяжитесь мы
Цитата
Хорошая цена Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Светодиодный чип OSRAM
Created with Pixso.

GA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод Чип

Все категории

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
Свяжитесь мы
Miss. alice
+86 18802688921
Контакт теперь
Все категории

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности
GA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод Чип
  • Имя
  • Имя
  • Имя
  • Имя
  • Имя
  • Имя

GA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод Чип

Название бренда: ams-osram
Номер модели: GA QSSPA1.23
минимальный заказ: 200
Цена: £0.2731-0.3248
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Описание продукта
Детальная информация
Место происхождения:
МОЙ/CN/TW
Световая эффективность (лм/Вт):
142
Излучающий цвет:
Янтарь
Прямой ток:
1А
Входное напряжение (В):
2В
Световой поток (лм):
109 лм
Тип:
Смд светодиод
Угол обзора (°):
120
Название продукта:
GA QSSPA1.23
Приложение:
Сельское хозяйство и садоводство/Наружное и промышленное освещение/Развлечения
Упаковка:
Эпоксидный пакет SMD
Поставка способности:
1000000
Выделить:

QSSPA1.23 OSRAM Светодиод SMD

,

3030 3 Вт OSRAM Светодиод SMD

,

3030 Янтарный OSRAM Светодиод SMD

Описание продукта

 GA QSSPA1.23 3030 Amber 609 624nm SMD Epoxy Package 1000 MA 1A 2.40 V 3W Ams-OSRAM LED Diode Chip

 

OSCONIQ®P 3030
GA QSSPA1.23
Светодиод семейства OSCONIQ P 3030 Colors отличается хорошо известной превосходной прочностью, высокой надежностью, долгим сроком службы, низким тепловым сопротивлением. Компактный и проверенный корпус размером 3 мм x 3 мм и устоявшийся форм-фактор. Идеально подходит для применений, требующих высокой эффективности и долгого срока службы.
известной превосходной прочностью, высокой надежностью, долгим сроком службы, низким
тепловым сопротивлением. Компактный и проверенный корпус размером 3 мм x 3 мм
и устоявшийся форм-фактор. Идеально подходит для применений, которые
требуют высокой эффективности и долгого срока службы.
 
Применения
- Сельское хозяйство и садоводство
- Развлечения
- Внутреннее освещение
- Наружное и промышленное освещение
 
Особенности
- Корпус: эпоксидный корпус SMD
- Тип. излучение: 120°
- Поддержание светового потока: доступны результаты испытаний по IESNA LM-80
- ESD: 8 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 3B)
- Световой поток: типично 109 лм
- Световая отдача: типично 142 лм/Вт
 
Максимальные абсолютные характеристики этого светодиодного компонента определены следующим образом: Рабочая температура () варьируется от минимума -40 °C до максимума 125 °C, в то время как температура хранения () также составляет от -40 °C до 125 °C. Максимально допустимая температура перехода () составляет 135 °C. Для прямого тока () минимальное номинальное значение составляет 100 мА, а максимальное - 1000 мА. Импульсный ток () имеет максимальное значение 1500 мА, применимое в условиях длительности импульса , коэффициент заполнения , и температура перехода . Компонент не предназначен для обратной работы), поэтому номинальное значение обратного напряжения () не указано. Кроме того, напряжение пробоя ESD () соответствует стандарту ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 3B) с номинальным значением 8 кВ.
 
При условиях прямого тока () 350 мА и температуры перехода () 25 °C, этот светодиодный компонент демонстрирует следующие ключевые характеристики производительности: Пиковая длина волны () имеет типичное значение 625 нм. Для доминирующей длины волны (), измеренной при = 350 мА, минимальное значение составляет 605 нм, типичное значение - 617 нм, а максимальное значение - 620 нм. Ширина спектра при 50% относительной максимальной силы света () составляет типично 16 нм. Угол обзора при 50% вертикальной силы света () имеет типичное значение 130°. Что касается прямого напряжения (), измеренного при = 350 мА, минимальное значение составляет 1,80 В, типичное значение - 2,18 В, а максимальное значение - 2,40 В. Компонент не предназначен для обратной работы), поэтому номинальное значение обратного тока () не указано. Кроме того, электрическое тепловое сопротивление между переходом и точкой пайки (), при электрической эффективности () 50%, имеет типичное значение 4,3 K/Вт.

GA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод Чип

 

 

Светодиод семейства OSCONIQ P 3030 Colors отличается хорошо известной превосходной прочностью, высокой надежностью, долгим сроком службы, низким тепловым сопротивлением. Компактный и проверенный корпус размером 3 мм x 3 мм и устоявшийся форм-фактор. Идеально подходит для применений, требующих высокой эффективности и долгого срока службы.

 

название продукта GA QSSPA1.23
Бренд OSRAM
Цвет Янтарный (609-624 нм)
размер кристалла 3030
Световой поток типично 109 лм
Световая отдача типично 142 лм/Вт
Прямой ток 1000 мА
Прямое напряжение 2.40 В

 

GA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод Чип

GA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод ЧипGA QSSPA1.23 3030 Янтарный 609 624нм SMD Эпоксидный корпус 1000 мА 1А 2.40 В 3 Вт Ams-OSRAM Светодиодный диод Чип

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Теги: 

диод osram  

Чип Osram  

Осрам Ослон

Сопутствующие товары
TI Chips OPA2196IDR OPAx196 36V Маломощный Операционный Усилитель с Низким Смещением и Выходом Rail-to-Rail

TI Chips OPA2196IDR OPAx196 36V Маломощный Операционный Усилитель с Низким Смещением и Выходом Rail-to-Rail

Получите самую лучшую цену
AMS-OSRAM GW KAMJBT.CM SOLERIQ™ S12 COB LED мин CRI 90 до 131 лм/Вт 3498–3578 лм 2700K–6500K

AMS-OSRAM GW KAMJBT.CM SOLERIQ™ S12 COB LED мин CRI 90 до 131 лм/Вт 3498–3578 лм 2700K–6500K

Получите самую лучшую цену
OSRAM GW KAFHBT.CM SOLERIQ™ S 9 COB LED мин CRI 90 до 2335 лм 128 лм/Вт 120° угол луча

OSRAM GW KAFHBT.CM SOLERIQ™ S 9 COB LED мин CRI 90 до 2335 лм 128 лм/Вт 120° угол луча

Получите самую лучшую цену
AMS-OSRAM SOLERIQ™ S 9 GW KAFGBT.CM COB LED мин CRI 90 до 1495 лм тип 137 лм/Вт 2700K–6500K

AMS-OSRAM SOLERIQ™ S 9 GW KAFGBT.CM COB LED мин CRI 90 до 1495 лм тип 137 лм/Вт 2700K–6500K

Получите самую лучшую цену
AMS-OSRAM SOLERIQ™ S 6 GW KADFBT.CM COB LED мин CRI 90 до 1178 лм 129 лм/Вт 2700K–6500K 120° луч

AMS-OSRAM SOLERIQ™ S 6 GW KADFBT.CM COB LED мин CRI 90 до 1178 лм 129 лм/Вт 2700K–6500K 120° луч

Получите самую лучшую цену