Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Оригинальный AMS-OSRAM LA E65F Power TOP LED объектив янтарь 609-624nm Угол луча 60 Высокая световая эффективность

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Оригинальный AMS-OSRAM LA E65F Power TOP LED объектив янтарь 609-624nm Угол луча 60 Высокая световая эффективность

Название бренда:	AMS-OSRAM
Номер модели:	Лос-Анджелес E65F
минимальный заказ:	2000 шт.
Цена:	$0.23-0.25
Детали упаковки:	2000ПК/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Излучающий цвет:

Янтарь

Прямой ток:

70mA, 70mA

Входное напряжение (В):

Световой поток (лм):

18-30 лет

Рабочая температура (℃):

-40 - 100

Смд светодиод

Угол обзора (°):

Название продукта:

Лос-Анджелес E65F

Цветовая температура:

Янтарный (609-624 нм)

Прямое напряжение:

Поставка способности:

1000000

Выделить:

Чип E65F OSRAM

624nm Amber OSRAM чип

E65F верхний светодиод

Описание продукта

Наименование продукта	СМД светодиод
Поддержка темпера	Нет
Услуги по освещению	Проектирование освещения и цепей
Температура цвета	617 нм
Цвет	Омела
Материал чипа	AlGaInP

Оригинальный AMS-OSRAM LA E65F Power TOP LED объектив янтарь 609-624nm Угол луча 60 Высокая световая эффективность

LA E65F двойная упаковка

Мощность TOPLED®

PowerTOPLED с линзами, мощный член

Семья TOPLED.

эффективность, светодиоды идеально подходят для заднего освещения и

индикаторы на транспортных средствах.

Заявления

️ Сигнализация

Особенности:

Пакет: белая упаковка PLCC-4, бесцветная прозрачная смола

Технология чипов: Thinfilm

Тип излучения: 60°

Цвет: λdom = 617 нм (● янтарь)

Класс устойчивости к коррозии: 3B

Квалификации: AEC-Q102 Квалифицированный

¢ ESD: 2 кВ в соответствии с ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2)

1Максимальные значения устройства определены следующим образом:В то время как температура хранения (В этом случае максимальная температура соединения (При температуре точки сварки () 25 °C, максимальный проходный ток () составляет 70 мА, а максимальный ток перенапряжения () составляет 100 мА в условиях длительности импульса () ≤ 10 μs и рабочий цикл () из 0.005. Максимальное обратное напряжение () в12 В, а ESD выдерживает напряжение () составляет 2 кВ, соответствует стандарту ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2).

2.В условиях испытания с передовым токоми температуры точки сварки, устройство обладает следующими ключевыми характеристиками:В то время как доминирующая длина (Спектральная полоса пропускания при 50% относительной максимальной интенсивности обычно составляет 18 нм,и угол обзора при 50% световой интенсивности () обычно. Напряжение вперед () вимеет минимум 1,90 В, типичное значение 2,15 В и максимум 2,50 В. При обратном напряжении, обратный ток (Уровень температуры пиковой длины () обычно 0,14 нм/К в пределах температурного диапазонаРеальное тепловое сопротивление от соединения до точки сварки (В то время как электрическое тепловое сопротивление от соединения до точки сварки (Устройство имеет типовое значение 77 К/Вт и максимум 91 К/Вт, с эффективностью.

3.При потоке впередЯ...F - Что?=4mA, устройство подразделяется на пять групп яркости (T2, U1, U2, V1, V2) с определенной минимальной и максимальной интенсивностью света (Я...V - Что?) диапазоны и соответствующий типичный световой поток (φV - Что?) значения:

В группе T2 диапазон интенсивности света составляет от 355 до 450 мкд при типичном световом потоке 450 млл.

Группа U1 охватывает от 450 до 560 мкд с 560 млм,

Группа U2 охватывает от 560 до 710 мкд с 700 млм,

Группа V1 простирается от 710 мкд до 900 мкд с 890 млм,

В2 группа колеблется от 900 мкд до 1120 мкд с 1120 млм.

4. На переднем течении, устройство подразделяется на четыре группы яркости (DB, EA, EB, FA) с определенной минимальной и максимальной интенсивностью света () диапазоны и соответствующий типичный световой поток () значения:

Группа DB имеет диапазон световой интенсивности от 5600 до 7100 мкд с типичным световым потоком 7050 млл,

Группа ЭА охватывает 7100 мкд до 9000 мкд с 8940 млм,

Группа EB охватывает 9000 mcd до 11200 mcd с 11210 mlm,

Группа FA простирается от 11200 mcd до 14000 mcd с 13990 mlm.

Частые вопросы

1Как гарантируется качество? Наша компания является крупным агентом по электронным компонентам в Китае, с более чем 10-летним опытом работы в отрасли, мы обещаем, что все продукты, которые мы продаем, являются CREE, OSRAM, LUMILEDS,TSLC (оригинал SEMILEDS), SEOUL оригинальный и подлинный, с квалифицированным качеством, так что, пожалуйста, будьте уверены, что вы можете купить.

2Как сделать заказ? Все независимые снимки, складываются в соответствии с обычным материалом,Лучше всего проконсультироваться с сотрудниками по продажам, чтобы подтвердить параметры модели, цену и наличие места перед размещением заказа. 3- Сколько времени на доставку? Как правило, в течение 3-7 рабочих дней после отправки, заказ лампы для персонала продаж фактического ответа на время доставки будет иметь преимущественное значение. 4Как насчет послепродажного обслуживания? Если вы обнаружите какую-либо аномалию после получения товара, пожалуйста, не используйте его и немедленно сделайте фотографию аномалии и свяжитесь с сотрудниками продаж, чтобы мы могли своевременно справиться с ним для вас.

5Как вы отправляете и сколько времени вам нужно, чтобы добраться туда? Обычно мы отправляем с помощью DHL, UPS, FedEx, SF, EMS, TNT. Обычно для прибытия требуется 3-5 дней, за исключением отдаленных районов, воздушный и морской транспорт также являются необязательными.

6.Какие способы оплаты мы принимаем?

Мы принимаем телеграфный перевод, ТТ, аккредитив, другие способы оплатыпереговоры

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Оригинальный AMS-OSRAM LA E65F Power TOP LED объектив янтарь 609-624nm Угол луча 60 Высокая световая эффективность

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI