Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Светодиодный диод AMS-OSRAM High Power LED Diode LE RTDCY S2WN Glass Window Top SMT Technology RGB RGBW GRBY 40W

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный диод AMS-OSRAM High Power LED Diode LE RTDCY S2WN Glass Window Top SMT Technology RGB RGBW GRBY 40W

Название бренда:	AMS-OSRAM
Номер модели:	ЛЕ RTDCY S2WN
минимальный заказ:	500 шт.
Цена:	$8.26-13.88
Детали упаковки:	500 шт/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Световая эффективность (лм/Вт):

Гарантия (год):

3 года

Входное напряжение (В):

Часы Woking:

50000

Рабочая температура (℃):

-40 - 85

Температура хранения (℃):

-40 - 85

Угол обзора (°):

Название продукта:

ЛЕ RTDCY S2WN

Приложение:

Развлечение

Класс коррозионной стойкости:

Поставка способности:

1000000

Выделить:

Светодиодный диод S2WN

40W чип OSRAM

Чип S2WN OSRAM

Описание продукта

Светодиод AMS-OSRAM High Power LE RTDCY S2WN со стеклянным окном сверху, технология SMT, RGB, RGBW, GRBY, 40 Вт

OSRAM OSTAR®Stage

LE RTDCY S2WN

Компактный источник света в технологии SMT, стеклянное окно сверху,

Соответствует RoHS

Применение

- Развлечения

Характеристики

- Корпус: компактный источник света в многочиповой технологии SMT со стеклянным окном сверху

- Технология чипа: Тонкопленочная / UX:3

- Тип. излучение: 120° (излучатель Ламберта)

- Цвет: λdom = 625 нм (● красный); λdom = 525 нм (● истинно-зеленый); λdom = 453 нм (● темно-синий); Cx = 0.57, Cy =

0.42 согласно CIE 1931 (● преобразованный желтый)

- Класс устойчивости к коррозии: 3B

- ESD: 2 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2)

В этом разделе представлены максимальные значения для четырех вариантов светодиодов (красный, истинно-зеленый, темно-синий и преобразованный желтый), определяющие их тепловые, электрические и рабочие пределы.

Что касается тепловых характеристик, все четыре цветовых варианта имеют одинаковые диапазоны рабочих и температур хранения: рабочая температура () варьируется от минимума -40 °C до максимума 85 °C, а температура хранения () совпадает с этим диапазоном, также простираясь от -40 °C до 85 °C. Максимально допустимая температура перехода () немного отличается: для красного варианта она составляет 125 °C, а для истинно-зеленого, темно-синего и преобразованного желтого вариантов - 150 °C.

Что касается электрических характеристик, при температуре паяного соединения () 25 °C, прямой ток () для всех вариантов имеет минимальное значение 40 мА, при этом максимальные значения варьируются в зависимости от цвета: 2500 мА для красного и 3000 мА для истинно-зеленого, темно-синего и преобразованного желтого. Напряжение пробоя ESD () составляет 2 кВ для всех цветов, проверенное в соответствии со стандартом ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2), а максимальный обратный ток () указан как 200 мА для всех четырех вариантов.

Светодиодный диод AMS-OSRAM High Power LED Diode LE RTDCY S2WN Glass Window Top SMT Technology RGB RGBW GRBY 40W

название продукта	LE RTDCY S2WN
бренд	osram
цвет	625 нм ( красный); λdom = 525 нм ( истинно-зеленый); λdom = 453 нм ( темно-синий); Cx = 0.57, Cy = 0.42 согласно CIE 1931 ( преобразованный желтый)
Прямой ток	красный 2500мА - истинно-зеленый 3000мА- темно-синий 3000мА -преобразованный желтый 3000мА
Прямое напряжение	красный 2.8В- истинно-зеленый 3.3В -темно-синий 3.4В- преобразованный 3.4В желтый
Мощность	40Вт

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Светодиодный диод AMS-OSRAM High Power LED Diode LE RTDCY S2WN Glass Window Top SMT Technology RGB RGBW GRBY 40W

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI