Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Для чипового поставщика OSTAR Projection Compact LE B Q8WP Oslon Blue LED Diode Professional LED Laser

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Для чипового поставщика OSTAR Projection Compact LE B Q8WP Oslon Blue LED Diode Professional LED Laser

Название бренда:	AMS-OSRAM
Номер модели:	LE B Q8WP
минимальный заказ:	1000 шт.
Детали упаковки:	1000 шт/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Гарантия (год):

3 года

Излучающий цвет:

Синий

Входное напряжение (В):

Рабочая температура (℃):

-40 - 125

Температура хранения (℃):

-40 - 125

Смд светодиод

Название продукта:

LE B Q8WP

Приложение:

Проекции для дома, светодиодные и лазерные проекции Профессиональные светодиодные и лазерные проекци

Цвет:

Синий

Упаковка:

компактный источник света по технологии SMT со стеклянным окном сверху

Поставка способности:

1000000

Выделить:

Q8WP OSRAM OSTAR LED

Синий OSRAM OSTAR LED

Q8WP OSRAM Oslon LED

Описание продукта

Для светодиодного чипа OSTAR Projection Compact LE B Q8WP Oslon Blue LED Diode Professional LED Laser

LE B Q8WP

OSRAM OSTAR®Projection Compact

Компактный источник света в технологии SMT, стекло в верхней части, соответствует требованиям RoHS

окно сверху, соответствует требованиям RoHS

Применение

— Проекционные домашние светодиодные и лазерные системы

— Профессиональные светодиодные и лазерные проекционные системы

— Сценическое освещение (светодиодное и лазерное)

Особенности:

— Корпус: компактный источник света в технологии SMT со стеклянным окном сверху

— Технология чипа: UX:3

— Тип. излучение: 120° (эмиттер Ламберта)

— Цвет: λdom = 459 нм (синий)

— Класс коррозионной стойкости: 3B

— ESD: 2 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2)

В этом разделе описаны максимальные параметры светодиодного компонента, определяющие его критические тепловые, электрические и эксплуатационные пределы.

Что касается тепловых характеристик, рабочий диапазон температур () варьируется от минимума -40 °C до максимума 125 °C, в то время как диапазон температур хранения () совпадает с этим диапазоном, также простираясь от -40 °C до 125 °C. Максимальная допустимая температура перехода () составляет 150 °C.

Для электрических характеристик при температуре пайки () 25 °C, постоянный прямой ток () имеет минимальное значение 40 мА и максимальное значение 5000 мА. Импульсный прямой ток () при имеет максимальный рейтинг 8000 мА. Напряжение пробоя ESD () составляет 2 кВ, проверенное в соответствии со стандартом ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2), а максимальный обратный ток () указан как 200 мА.

Устройство демонстрирует специфические оптические и электрические характеристики при прямом токе () 1400 мА и температуре перехода () 25 °C. С точки зрения оптических свойств, его пиковая длина волны () обычно составляет 455 нм, в то время как доминирующая длина волны () варьируется от минимума 444 нм (типичное значение 459 нм, максимальное 465 нм). Спектральная ширина полосы на 50% относительной максимальной интенсивности излучения () обычно составляет 27 нм, а угол обзора на 50% пиковой силы света () обычно составляет 120 градусов. Площадь излучающей поверхности () составляет примерно 1,5 x 1,2 мм², с частичным потоком () 0,82 в соответствии со стандартами CIE 127:2007. Для электрических характеристик при прямом токе 1400 мА, прямое напряжение () имеет минимальное значение 2,80 В, типичное значение 2,95 В и максимальное значение 3,50 В. Относительно спецификаций обратного напряжения, обратное напряжение для ESD-устройства () имеет минимум 45 В, в то время как обратное напряжение () при прямом токе 20 мА имеет максимум 1,2 В. С точки зрения теплового сопротивления, реальное тепловое сопротивление от перехода до точки пайки () обычно составляет 2,6 K/W с максимумом 3,6 K/W, а электрическое тепловое сопротивление от перехода до точки пайки () с эффективностью () 37% обычно составляет 1,6 K/W и достигает максимума 2,3 K/W.

название продукта	LE B Q8WP
бренд	osram
цвет	459 нм ( синий)
мощность	18 Ватт

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Для чипового поставщика OSTAR Projection Compact LE B Q8WP Oslon Blue LED Diode Professional LED Laser

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI