Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Oslon White Flat 4 Chip 18W Высокая мощность AMS-OSRAM KW H4L531.TE 11-15V 1.2A Фары для ночного видения

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Oslon White Flat 4 Chip 18W Высокая мощность AMS-OSRAM KW H4L531.TE 11-15V 1.2A Фары для ночного видения

Название бренда:	AMS-OSRAM
Номер модели:	КВТ H4L531.TE
минимальный заказ:	2000 шт.
Цена:	$2.97
Детали упаковки:	2000ПК/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Цветовая температура (CCT):

5000К

Световая эффективность (лм/Вт):

Излучающий цвет:

Белый

Входное напряжение (В):

11-15В

Рабочая температура (℃):

-40 - 125

Температура хранения (℃):

-40 - 125

Угол обзора (°):

Название продукта:

КВТ H4L531.TE

Приложение:

Индивидуальный тюнинг-фары, светодиодные, лазерные и ночного видения

Упаковка:

Эпоксидный пакет SMD

Поставка способности:

1000000

Выделить:

H4L531.TE OSRAM Oslon LED

18W белый OSRAM Oslon LED

Чип H4L531.TE OSRAM

Описание продукта

Oslon White Flat 4 Chip 18W High Power AMS-OSRAM KW H4L531.TE 11-15V 1.2A Headlamp Night Vision

KW H4L531.TE

OSLON®Black Flat

Oslon Black Flat способен удовлетворить широкий спектр

требований к выходной мощности и адаптивности к

окружающим условиям. Он предлагает равномерный световой поток,

термическую стабильность и высокую яркость.

Применения

— Индивидуальная настройка

— Фары, светодиоды и лазеры и ночное видение

Особенности:

— Корпус: эпоксидный корпус SMD

— Технология чипа: UX:3

— Тип. излучение: 120° (ламбертовский излучатель)

— Цвет: Cx = 0.322, Cy = 0.334 согласно CIE 1931 (● ультра белый)

— Класс коррозионной стойкости: 3B

— Квалификации: AEC-Q102 Qualified

— ESD: 8 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 3B)

Этот светодиодный компонент имеет следующие максимальные характеристики: Рабочая температура () варьируется от минимума -40 °C до максимума 125 °C, а температура хранения () также составляет от -40 °C до 125 °C. Максимальная температура перехода () для стандартной работы составляет 150 °C, в то время как для кратковременных применений максимальная температура перехода может достигать 175 °C, с примечанием, что средний срок службы (L70/B50) при составляет 100 часов. При температуре пайки () 25 °C прямой ток () имеет минимальное значение 50 мА и максимальное значение 1200 мА. Импульсный ток () составляет максимум 2000 мА, применимый для длительности импульса с коэффициентом заполнения и . Напряжение пробоя при электростатическом разряде () составляет 8 кВ, в соответствии со стандартом ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 3B). Кроме того, максимальный обратный ток () составляет 200 мА.

При условиях испытаний прямого тока () 1000 мА и температуры пайки () 25 °C, это светодиодное устройство демонстрирует следующие ключевые характеристики: По координатам цветности, типичные координаты цветности составляют и . Угол обзора при 50% пиковой интенсивности света () обычно составляет 120°, а типичная площадь излучающей поверхности () составляет 4.4 мм². По электрическим характеристикам при мА, прямое напряжение () имеет минимальное значение 10.90 В, типичное значение 12.30 В и максимальное значение 14.90 В. Относительно характеристик обратного напряжения, минимальное обратное напряжение для устройства ESD () составляет 45 В, в то время как максимальное обратное напряжение () при обратном токе () 20 мА составляет 1.2 В. По тепловым характеристикам, реальное тепловое сопротивление от перехода до точки пайки () обычно составляет 1.00 K/W с максимумом 1.20 K/W, а электрическое тепловое сопротивление от перехода до точки пайки () с эффективностью () 30% имеет типичное значение 0.70 K/W и максимальное значение 0.84 K/W.

название продукта	KW H4L531.TE
бренд	osram
цвет	белый
Прямой ток	1200мА
Прямое напряжение	мин. 10.90 В / тип.12.30 В / макс.14.90 В
мощность	18 Ватт

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Oslon White Flat 4 Chip 18W Высокая мощность AMS-OSRAM KW H4L531.TE 11-15V 1.2A Фары для ночного видения

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI