Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

Оригинальный OSLON Black Infrared 912 нм-950 нм 920 нм Цветной светодиод Новые чипы AMS-OSRAM SFH 4726S

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Оригинальный OSLON Black Infrared 912 нм-950 нм 920 нм Цветной светодиод Новые чипы AMS-OSRAM SFH 4726S

Название бренда:	ams-osram
Номер модели:	СФХ 4726S
минимальный заказ:	600 шт.
Цена:	RM 7.60-8
Детали упаковки:	600 шт./катушка
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Световая эффективность (лм/Вт):

106

Входное напряжение (В):

3В

Световой поток (лм):

380lm

Яркость света:

200-300

Власть:

5 Вт

Название продукта:

SFH 4726AS

Приложения:

Отслеживание тела/Медицинское освещение/Аутентификация/Аутентификация

Обратное течение:

200 мА

Обратное напряжение:

5 В

Поставка способности:

100000

Выделить:

912 нм OSRAM Oslon LED

950 нм OSRAM Oslon LED

920 нм OSRAM Oslon LED

Описание продукта

Оригинальный OSLON Black Infrared 912nm-950nm 920nm Цветной светодиод Новые чипы AMS-OSRAM SFH 4726S

SFH 4726S

OSLON®Black

OSLON Black Series (940 нм) - 150°

Применение

Отслеживание взгляда

Распознавание жестов

Безопасность и охрана, видеонаблюдение

Особенности

Корпус: прозрачный силикон

Класс коррозионной стойкости: 3B

Квалификация: План тестирования квалификации продукта основан на руководящих принципах AEC-Q101-REV-C,

Квалификация стресс-тестирования для дискретных полупроводников автомобильного класса.

ESD: 2 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2)

ИК-источник света с высокой эффективностью

Двухслойный эмиттер

Низкое тепловое сопротивление (макс. 9 К/Вт)

Центроидная длина волны 940 нм

Оптимизирован для работы с высоким импульсным током

1. Этот документ описывает Максимальные рейтинги для полупроводникового устройства при температуре окружающей среды . Диапазон рабочих температур () указан от минимума до максимума , что соответствует диапазону температур хранения (), который также охватывает до . Максимальная допустимая температура перехода () установлена на уровне , обеспечивая тепловую безопасность при пиковых нагрузках. По электрическим характеристикам максимальный постоянный прямой ток () составляет 1 А, в то время как импульсный ток (), определенный с длительностью импульса и коэффициентом заполнения , может достигать 5 А для обработки кратковременных перегрузок по току. Максимальный обратный ток () ограничен 200 мА, а общее энергопотребление () составляет 3,2 Вт, с примечанием, направляющим пользователей к диаграмме "максимально допустимый прямой ток" для получения подробного контекста по этим двум параметрам. Кроме того, устройство обеспечивает напряжение пробоя при электростатическом разряде () 2 кВ, соответствующее стандарту ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2), обеспечивая надежную защиту от электростатического разряда для надежной работы в различных условиях.

2. Этот документ подробно описывает Характеристики оптического полупроводникового устройства, протестированного в условиях , p=10ms . Указаны три отдельные группы яркости: группа BA охватывает диапазон интенсивности излучения от минимума 180 мВт/ср до максимума 224 мВт/ср, группа BB - от 224 мВт/ср до 280 мВт/ср, а группа CA - от 280 мВт/ср до 355 мВт/ср. Важное примечание по упаковке указывает, что на единицу упаковки разрешена только одна группа яркости, гарантируя, что разброс интенсивности в пределах одной упаковки остается ниже соотношения 1,6:1, что помогает поддерживать стабильную производительность оптического выхода для отдельных устройств из одной партии., и . С точки зрения оптических характеристик, устройство демонстрирует пиковую длину волны () 950 нм (типичное значение) и центроидную длину волны () 940 нм (типичное значение) с шириной спектра () 37 нм (типичное значение) при 50% относительной максимальной интенсивности (FWHM). Его полуугол () составляет 75° (типичное значение), а размеры активной площади кристалла составляют (типичное значение). Для динамического электрического поведения время нарастания () составляет 10 нс (типичное значение), а время спада () - 15 нс (типичное значение), измеренное при и . Что касается прямого напряжения (), то при и , типичное значение составляет 2,65 В с максимумом 3,2 В; при и , типичное прямое напряжение возрастает до 3,2 В с максимумом 4,3 В. Максимальное обратное напряжение () при составляет 1,2 В, в то время как минимальное обратное напряжение для ESD-устройства () составляет 5 В. Общий поток излучения () достигает 1340 мВт (типичное значение) при и . Температурные коэффициенты включают температурный коэффициент напряжения () (типичное значение), температурный коэффициент яркости () TR3. Этот раздел описывает

Группы яркости устройства, определяемые интенсивностью излучения (II

tp=10ms . Указаны три отдельные группы яркости: группа BA охватывает диапазон интенсивности излучения от минимума 180 мВт/ср до максимума 224 мВт/ср, группа BB - от 224 мВт/ср до 280 мВт/ср, а группа CA - от 280 мВт/ср до 355 мВт/ср. Важное примечание по упаковке указывает, что на единицу упаковки разрешена только одна группа яркости, гарантируя, что разброс интенсивности в пределах одной упаковки остается ниже соотношения 1,6:1, что помогает поддерживать стабильную производительность оптического выхода для отдельных устройств из одной партии.Название продукта

SFH 4726AS	Бренд
osram	Применение
Контроль доступа Безопасность/Аутентификация/ Отслеживание тела/ Медицинское освещение	Упаковка
прозрачный силикон	длина волны
912нм-950нм	ЦВЕТ
Инфракрасный	МОЩНОСТЬ
5W	FAQ

1.Как обеспечивается качество?

Наша компания является крупным агентом электронных компонентов в Китае, с более чем 10-летним опытом работы в отрасли, мы обещаем, что все продаваемые нами продукты являются CREE, OSRAM, LUMILEDS, TSLC (оригинальный SEMILEDS), SEOUL оригинальные и подлинные, с квалифицированным качеством, поэтому, пожалуйста, будьте уверены в покупке. 2.Как оформить заказ?

Все независимые заказы, склад отгружается в соответствии с обычным материалом, лучше всего проконсультироваться с отделом продаж, чтобы подтвердить параметры модели, цену и наличие на складе перед оформлением заказа. 3.Какое время доставки? Обычно отгрузка в течение 3-7 рабочих дней, время доставки заказа на светодиодные лампы должно соответствовать фактическому ответу отдела продаж. 4. Как насчет послепродажного обслуживания? Если вы обнаружите какие-либо аномалии после получения товара, пожалуйста, не используйте его и немедленно сфотографируйте аномалию и свяжитесь с отделом продаж, чтобы мы могли своевременно решить эту проблему для вас. 5. Как вы отправляете и сколько времени это занимает?

Мы обычно отправляем через DHL, UPS, FedEx, SF, EMS, TNT. Доставка обычно занимает 3-5 дней, за исключением удаленных районов, также возможна воздушная и морская перевозка. 6.

Какие способы оплаты мы принимаем?Мы принимаем телеграфный перевод, TT, аккредитив, другие способы оплаты подлежат

обсуждению

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Оригинальный OSLON Black Infrared 912 нм-950 нм 920 нм Цветной светодиод Новые чипы AMS-OSRAM SFH 4726S

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI