Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип OSRAM

AMS -OSRAM GW JTLMS1.EM 2835 2200-6500K Производитель светодиодных микросхем Высокая яркость 0.2W 3V 80CRI

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

AMS -OSRAM GW JTLMS1.EM 2835 2200-6500K Производитель светодиодных микросхем Высокая яркость 0.2W 3V 80CRI

Название бренда:	AMS-OSRAM
Номер модели:	GW JTLMS1.EM
минимальный заказ:	10000 шт.
Детали упаковки:	10000ПК/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

МОЙ/CN/TW

Световая эффективность (лм/Вт):

Индекс цветопередачи (Ra):

Цветовая температура (CCT):

2200K-6500K

Излучающий цвет:

желтый

Прямой ток:

150 мА

Входное напряжение (В):

Световой поток (лм):

29,2 лм

Смд светодиод

Название продукта:

GW JTLMS1.EM

Приложения:

Внутреннее освещение

Поставка способности:

100000

Выделить:

Чип JTLMS1.EM OSRAM

2835 0

2 Вт OSRAM чип

Описание продукта

Название продукта	GW JTLMS1.EM
Бренд	OSRAM
Световой поток	тип.: 29,2 лм при 4000 К
Световая отдача	165 лм/Вт при 4000 К
Прямой ток	150 мА
Прямое напряжение	3 В
Индекс цветопередачи (Ra)	80
Мощность	0,2 Вт

AMS -OSRAM GW JTLMS1.EM 2835 2200-6500K Светодиодный чип Производитель Высокая яркость 0,2 Вт 3 В 80CRI

DURIS®E 2835

GW JTLMS1.EM

DURIS® E 2835 сочетает в себе хорошую эффективность и широкий угол луча в компактном формате (2,8 мм x 3,5 мм). Это ключ к приложениям с однородным освещением, где DURIS® E 2835 неизменно впечатляет своей производительностью на системном уровне.

Применения

Внутреннее освещение

Особенности

Корпус: белый корпус SMT, цветная диффузная силиконовая смола

Тип. излучение: 120° (ламбертовский излучатель)

Цветовая температура: 2200K - 6500K

CRI: 80 (мин.), 85 (тип.), R9: 0 (мин.)

Поддержание светового потока: результаты испытаний по IESNA LM-80 доступны

ESD: 2 кВ согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, класс 2)

Световой поток: тип.: 29,2 лм при 4000 К

Световая отдача: тип.: 165 лм/Вт при 4000 К

1. В этом разделе представлены

Максимальные рейтинги

для устройства OSRAM GW JTLMS1.EM, устанавливающие его безопасные рабочие границы. Диапазон рабочих температур (

op) простирается от минимума до максимума T) , который также простирается от 100jC) имеет минимальное значение 150J°I10D, и температурой перехода C), и оно обеспечивает напряжение устойчивости к ЭСР (2.IR=

25°C. С точки зрения оптических характеристик, устройство имеет типичный угол обзора (

при 50% интенсивности света, наряду с высокими показателями цветопередачи: минимальный индекс цветопередачи (CRI) 80 и типичное значение 85, с минимальным CRI (R9) 0, что делает его подходящим для применений, требующих точного представления цветов. Для электрических характеристик, прямое напряжение ( мАR) составляет 25 K/W (типичное), достигнутое с эффективностью (3. В этом разделе представлены F. Девять различных групп яркости указаны для категоризации устройств на основе их оптических характеристик: Группа G7 охватывает диапазон светового потока от 21,0 лм до 22,5 лм, Группа G8 охватывает от 22,5 лм до 24,0 лм, Группа G9 охватывает от 24,0 лм до 25,5 лм, Группа GV охватывает от 25,5 лм до 27,0 лм, Группа GW охватывает от 27,0 лм до 28,5 лм, Группа H1 охватывает от 28,5 лм до 30,0 лм, Группа H2 охватывает от 30,0 лм до 31,5 лм, Группа H3 охватывает от 31,5 лм до 33,0 лм, и Группа H4 простирается от 33,0 лм до 34,5 лм. Эти тонко сегментированные группировки позволяют точно биннинговать устройства, обеспечивая постоянный световой поток в каждом упаковочном блоке, поддерживая надежную интеграцию в целевые приложения, предоставляя четкие, гранулированные эталонные показатели оптической производительности, которые соответствуют электрической эффективности устройства и характеристикам теплового управления.VF

=60 мА. Пять различных групп напряжения указаны для категоризации устройств на основе их электрических характеристик: Группа L1 охватывает диапазон прямого напряжения от 2,80 В до 2,90 В, Группа L2 охватывает от 2,90 В до 3,00 В, Группа M1 варьируется от 3,00 В до 3,10 В, Группа M2 простирается от 3,10 В до 3,20 В, и Группа N1 охватывает от 3,20 В до 3,30 В. Эти группировки позволяют точно биннинговать устройства, обеспечивая постоянные характеристики прямого напряжения в каждом упаковочном блоке, в соответствии с общими пределами прямого напряжения (минимум 2,80 В, максимум 3,30 В), указанными в основных характеристиках устройства, и поддерживая надежную интеграцию в целевые приложения, предоставляя четкие, сегментированные эталонные показатели электрической производительности, которые дополняют оптические характеристики устройства и спецификации теплового управления.Мы принимаем телеграфный перевод, TT, аккредитив, другие способы оплаты подлежат 5. Как вы отправляете и сколько времени занимает доставка?

Мы обычно отправляем через DHL, UPS, FedEx, SF, EMS, TNT. Доставка обычно занимает 3-5 дней, за исключением удаленных районов. Также возможна воздушная и морская перевозка.6.Какие способы оплаты мы принимаем?

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

AMS -OSRAM GW JTLMS1.EM 2835 2200-6500K Производитель светодиодных микросхем Высокая яркость 0.2W 3V 80CRI

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI