Подробная информация о продукции

Дом Продукты

LED-чип SAMSUNG

Samsung LED серии 5630 LM561C CRI 80 0,3 W класса средней мощности

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Samsung LED серии 5630 LM561C CRI 80 0,3 W класса средней мощности

Название бренда:	Samsung
Номер модели:	LM561C
минимальный заказ:	4000 штук
Детали упаковки:	4000ПК/риф
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

модель:

LM561C

Упаковка:

5630 (5,6×3,0×0,7 мм)

Класс власти:

Светодиод средней мощности 0,3 Вт

Прямой ток:

Тип: 65 мА Макс.: 200 мА Пиковый импульсный: 300 мА

Прямое напряжение:

2,6 ~ 2,9 В

Обратное напряжение:

0,7 ~ 1,2 В при 5 мА

Световой поток:

30,0 ~ 39,0 лм

Индекс цветопередачи:

Ра ≥ 80, R9 = 0

2700К/3000К/3500К/4000К/5000К/5700К/6500К

Поставка способности:

1000000000

Выделить:

LM561C 5630 светодиодный чип

ЛЕД-чип Samsung средней мощности

0.3 W класса светодиодный чип

Описание продукта

Samsung LED серии 5630 LM561C CRI80 средней мощности

Особенности и преимущества

• светодиод средней мощности класса 0,3 Вт

• смола от плесени для высокой надежности

• Стандартный форм-фактор для гибкости конструкции (5,6 × 3,0 мм)

LM561C - наивысшая производительность и lm/W для замены люминесцентов

Samsung LED серии 5630 LM561C CRI 80 0,3 W класса средней мощности

В данном разделе изложены абсолютные максимальные номинальные характеристики для светодиодного компонента.-40°C до +85°C, в то время как температура хранения может выдерживать более широкий диапазон, от-40°C до +120°CТемпература соединения светодиодов () оценивается в пределах110°СС точки зрения электрических номиналов, непрерывный прямой ток () имеет максимальное значение200 мА, и пиковый импульсный вперед ток () может достигать до300 мАПри обработке сборки компонент может выдерживать температуру сборки260°C и нижеДля электростатической защиты устройство предлагает возможность ESD (HBM, Human Body Model)± 5 кВДля обеспечения надежной производительности и долговечности устройства необходимо соблюдать эти ограничения.

Samsung LED серии 5630 LM561C CRI 80 0,3 W класса средней мощности

При условиях испытания на направленном токе (В этом случае необходимо установить температуру 65 mA и температуру точки сварки () температуры 25°С, электрооптические характеристики этого светодиодного компонента описаны следующим образом:

Для напряжения вперед (), компонент разделяется на несколько рядов с определенными минимальными и максимальными значениями: класс XA/XK включает контейнеры AY (от 2,6 V минимум до 2,7 V максимум), AZ (от 2,7 V минимум до 2,8 V максимум) и A1 (от 2,8 V минимум до 2.9В максимум.) Световой поток () определяется для минимального индекса цветопередачи (CRI,При 2700K bin S4 обеспечивает 30,0 lm (от минимума до максимума), в то время как bin S5 предлагает 32.0 ¢ 34.0 lm. Для 3000K bin S5 обеспечивает 32,5 ‰ 34,5 lm и bin S6 обеспечивает 34,5 ‰ 36,5 lm. При 3500K bin S5 оценивается в 33,0 ‰ 35,0 lm и bin S6 в 35,0 ‰ 37,0 lm. Для 4000K bin S5 предлагает 34,0 ‰ 36,0 lm и bin S6 36.При 5000K, bin S5 составляет 35,0 ′′ 37,0 ′′ и bin S6 37,0 ′′ 39,0 ′′. Для 5700K, bin S5 обеспечивает 34,5 ′′ 36,5 ′′ и bin S6 36,5 ′′ 38,5 ′′. Наконец, при 6500K, bin S5 оценивается в 34,0 ′′ 36,0 ′′ и bin S6 в 36.0 ¢ 38.0 lm.

Обратное напряжение, испытываемое при 5 мА, имеет минимум 0,7 В и максимум 1,2 В. Минимальный индекс цветопроизводительности (Тепловое сопротивление от точки соединения до точки сварки обычно 12°C/W, максимум 16°C/W, а угол луча обычно 120°.

Все измерения подчиняются стандартным допустимым значениям измерений Samsung: ±0,1V для напряжения вперед, ±5% для светового потока, ±3 для CRI и ±6,5 для R9.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

Samsung LED серии 5630 LM561C CRI 80 0,3 W класса средней мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI