Name: REF3318AIDBZR TI Chips REF33xx 3.9μA SC70-3 SOT-23-3 e UQFN-8 30ppm/°C Referência de Tensão de Drift
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: REF3318AIDBZR
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	TI Chips
Número do modelo:	REF3318AIDBZR
Quantidade mínima:	3.000
Detalhes da embalagem:	3000 peças/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

ref33 (2).pdf

modelo:

REF3318AIDBZR

Nome do produto:

Chips de TI

Tipo:

SMD/SMT

Tensão de saída:

1,8 V

Encapsulamento:

Carretel

Temperatura operacional:

- 40 °C ~ + 125 °C

Habilidade da fonte:

1.000.000

Destacar:

REF3318AIDBZR

REF3318AIDBZR Chips TI

3Voltagem de referência de.9μA

Descrição do produto

TI Chips REF3318AIDBZR REF33xx 3.9µA, SC70-3, SOT-23-3 e UQFN-8, 30ppm/°C Drift Tensão de Referência

Recursos

• Pacotes minúsculos: SC70-3, SOT-23-3, UQFN-8

• Baixa corrente de alimentação: 3.9µA (típico)

• Tensão de dropout extremamente baixa: 110mV (típico)

• Alta corrente de saída: ±5mA

• Baixo drift de temperatura: 30ppm/°C (máximo)

• Alta precisão inicial: ±0.15% (máximo)

• Ruído de 0.1Hz a 10Hz: 35µVPP (REF3312)

• Opções de tensão: 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3V, 3.3V

Aplicações

• Equipamentos portáteis

• Tablets e smartphones

• Discos rígidos

• Módulos de sensor

• Sistemas de aquisição de dados

• Equipamentos médicos

• Equipamentos de teste

Descrição

O REF33xx é uma família de referência de tensão de baixo consumo, de precisão e com baixo dropout

disponível em minúsculos pacotes SC70-3

e SOT-23-3, e em um pacote UQFN-8 de 1.5mm ×

1.5mm. O tamanho pequeno e o baixo consumo de energia

(5µA máximo) tornam o REF33xx

ideal para uma ampla variedade de aplicações portáteis e alimentadas por bateria.

O REF33xx pode ser operado com uma tensão de alimentação

180mV acima da tensão de saída especificada sob

condições de carga normais, com exceção do

REF3312, que tem uma tensão mínima de alimentação

de 1.7V. Todos os modelos são especificados para a ampla

faixa de temperatura de –40°C a +125°C.

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

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Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

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Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

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Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

REF3318AIDBZR TI Chips REF33xx 3.9μA SC70-3 SOT-23-3 e UQFN-8 30ppm/°C Referência de Tensão de Drift

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

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