logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Układy scalone ST
Created with Pixso.

STW20N95K5 ST IC Chips Tranzystory MOSFET N-kanałowe 950 V 275 mΩ typ. 17.5 A MDmesh K5 w obudowie D²PAK

STW20N95K5 ST IC Chips Tranzystory MOSFET N-kanałowe 950 V 275 mΩ typ. 17.5 A MDmesh K5 w obudowie D²PAK

Nazwa marki: ST chip
Numer modelu: STW20N95K5
MOQ: 600
Szczegóły opakowania: 600 sztuk/szpula
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Dokument:
model:
STW20N95K5
Nazwa produktu:
Układ ST
Ciągły prąd spustowy:
17,5 A
Rozpraszanie mocy:
250 W
Temperatura pracy:
- 55°C ~ + 150°C
Cechy:
Bardzo niski ładunek bramki
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

STW20N95K5 ST IC Chips

,

Tranzystory MOSFET 950 V

,

Tranzystory MOSFET w obudowie D²PAK

Opis produktu

ST chip STW20N95K5 N‑kanałowy 950 V, 275 mΩ typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFETs w obudowie D²PAK


Funkcje
• Bardzo niski ładunek bramki
• Bardzo niski FoM (współczynnik skuteczności)
• Zabezpieczenie Zenerowskie
• 100% testowane lawinowo
STW20N95K5 ST IC Chips Tranzystory MOSFET N-kanałowe 950 V 275 mΩ typ. 17.5 A MDmesh K5 w obudowie D²PAK

Aplikacje
• Aplikacje przełączania

Opis
Te tranzystory MOSFET N-kanałowe o bardzo wysokim napięciu są zaprojektowane w technologii MDmesh
K5 opartej na innowacyjnej, własnościowej strukturze pionowej. Rezultatem jest
znaczna redukcja rezystancji w stanie włączonym i bardzo niski ładunek bramki dla zastosowań
wymagających doskonałej gęstości mocy i wysokiej wydajności

Parametry elektryczne
STW20N95K5 ST IC Chips Tranzystory MOSFET N-kanałowe 950 V 275 mΩ typ. 17.5 A MDmesh K5 w obudowie D²PAK

STW20N95K5 ST IC Chips Tranzystory MOSFET N-kanałowe 950 V 275 mΩ typ. 17.5 A MDmesh K5 w obudowie D²PAK