높은 선형성 선명한 에포시 SFH 2440 DIL SMT 적색 방출기 900nm Ams- LED 칩 다이오드 오슬론 SMD
SFH 2440
DIL SMT 주변광 센서
Vλ 특성을 가진 실리콘 광 다이오드
응용 프로그램:
건강 모니터링 (심근 박동 모니터링,
펄스 산소 측정)
원격 제어, 근접, 주변 조명
감지
특징:
패키지: 맑은 에포시
자격: 제품 자격 테스트 계획은 AEC-Q101-REV-C의 지침에 기초합니다.
자동차 등급의 디스크리트 반도체에 대한 스트레스 테스트 자격
ESD: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM) 에 따라 1.5 kV
인간의 눈의 감수성에 적응한 스펙트럼 감수성 (Vλ)
- 낮은 온도 분광 민감도 계수
높은 선형성
높은 포장 밀도를 가진 DIL 플라스틱 패키지
빠른 전환 시간
이 섹션에서는 주변 온도에서 테스트 된 전자 부품의 최대 등급을 설명합니다 (TA- 네25 °C의 온도 범위 (Top- 네-40 °C에서 최대 100 °C까지, 저장 온도 범위 (Tstg- 네-40 °C에서 100 °C까지 지속됩니다. 최대 역전압 (VR- 네이 부품이 견딜 수 있는 온도는 16V입니다.Ptot- 네150mW의 등급으로 구성되어 있으며, 부품은 정전 전압 (ESD) 을 견딜 수 있습니다.VESD- 네1.5kV의 전압, ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM) 표준에 따라 테스트
이 섹션에서는 환경 온도에서 측정된 광 탐지 장치 구성 요소의 주요 광학, 전기 및 성능 특성을 상세히 설명합니다 (TA- 네스펙트럼 감수성 (S) 에서 테스트되었습니다.VR- 네=5V표준 빛 A (T = 2856 K) 에서 최소 값은 7 nA/lx이고 전형적인 값은 9.4 nA/lx입니다.λS엄마x- 네(주) 620nm, 전형적인 스펙트럼 감도 범위 (λ10%- 네400~690 nm의 광선 영역을 가로질러A) 는 7.02 mm2이고, 활성 칩 면적의 크기는 (L×W(일반적인 반각을 가진 2.65 mm × 2.65 mm의 크기가 있습니다.φ암흑 전류 (난R- 네) 에서VR- 네=5V, 일반적인 값은 1nA이고 최대 값은 10nA입니다. 칩의 전형적인 스펙트럼 민감도 (Sλ- 네) 에서λ=550nm0.37A/W이고, 전형적인 양자 생산량은 (η같은 파장에서는 광자당 0.83전자입니다.난SC- 네) 에 따라Ev- 네=1000난x(표준등 A) 및VR- 네=0V양쪽의 전형적인 상승 시간 (tr- 네) 및 가을 시간 (tf- 네) 는 0.09μs로,VR- 네=5V,RL- 네=50오, 그리고λ=550nm일반적인 전압 (VF- 네) 에서난F- 네=100mA부등등이 없는 경우 (E=01V입니다. 전형적인 용량 (C0- 네) 에서VR- 네=0V,f=1MHz, 그리고E=0135pF입니다.VR- 네=5V그리고λ=550nm0.048 pW /Hz1/2, 그리고 전형적인 탐지 한계 (D∙) 에서VR- 네=5V그리고λ=850nm그5.5e12cm⋅Hz1/2/W.