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インフィニオンチップ
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ISC007N04NM6 Infineon チップ OptiMOS 6 パワートランジスタ 40 V 低電圧ドライブアプリケーション向けに最適化

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ISC007N04NM6 Infineon チップ OptiMOS 6 パワートランジスタ 40 V 低電圧ドライブアプリケーション向けに最適化
  • 名前

ISC007N04NM6 Infineon チップ OptiMOS 6 パワートランジスタ 40 V 低電圧ドライブアプリケーション向けに最適化

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: ISC007N04NM6
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
製品説明
詳細情報
起源の場所:
中国
書類:
infineon_isc007n04nm6_datas...en.pdf
モデル:
ISC007N04NM6
製品名:
インフィニオンチップ
動作温度:
-55℃～+175℃
消費電力:
188 W
タイプ:
SMD/SMT
連続的な下水管の流れ:
381A
供給の能力:
100000
ハイライト:

ISC007N04NM6 Infineon チップ

,

40V OptiMOS 6

,

低電圧ドライブ OptiMOS 6

製品説明

インフィニオンチップ ISC007N04NM6 OptiMOSTM 6 パワートランジスタ, 40 V 低電圧ドライブアプリケーションに最適化


特徴
低電圧ドライブアプリケーションに最適化
バッテリー駆動アプリケーションに最適化
同期アプリケーションに最適化
抵抗が非常に低いRDS (オン)
100%の雪崩テスト
優れた熱耐性
Nチャンネル
Pb のない鉛塗装; RoHS に準拠
IEC61249-2-21 によるハロゲン無
175 °C


製品検証
JEDEC for Industrial Applications に基づいて完全合格している

主要なパフォーマンスパラメータ
ISC007N04NM6 Infineon チップ OptiMOS 6 パワートランジスタ 40 V 低電圧ドライブアプリケーション向けに最適化
最大評価
にTA について=25 °C,別途指定がない限り
 ISC007N04NM6 Infineon チップ OptiMOS 6 パワートランジスタ 40 V 低電圧ドライブアプリケーション向けに最適化

熱特性
ISC007N04NM6 Infineon チップ OptiMOS 6 パワートランジスタ 40 V 低電圧ドライブアプリケーション向けに最適化

電気特性 
にTj=25 °C,別途指定がない限り
ISC007N04NM6 Infineon チップ OptiMOS 6 パワートランジスタ 40 V 低電圧ドライブアプリケーション向けに最適化

タグ: 

インフィニオン パワーMOSFET  

チップ インフィニオン  

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