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dettagli dei prodotti

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Chip Infineon
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IPB107N20N3G Infineon Chip OptiMOS 3 Transistor di Potenza 175 °C temperatura operativa

IPB107N20N3G Infineon Chip OptiMOS 3 Transistor di Potenza 175 °C temperatura operativa

Marchio: Infineon Chip
Numero di modello: IPB107N20N3G
MOQ: 2500
Dettagli dell'imballaggio: 2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
modello:
IPB107N20N3G
Nome del prodotto:
Chip Infineon
Temperatura operativa:
-55°C~+175°C
Dissipazione di potenza:
300 w
Corrente continua dello scolo:
88 A
Tipo:
SMD/SMT
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

IPB107N20N3G

,

IPB107N20N3 Infineon Chip

,

175°C OptiMOS 3

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IPB107N20N3G OptiMOSTM3 Transistor di potenza temperatura operativa 175 °C


Caratteristiche
Canale N, livello normale 
Eccellente carica del gate x R DS(on) prodotto (FOM) 
Resistenza on molto bassa R DS(on)
temperatura operativa 175 °C 
Placcatura piombo senza piombo; conforme a RoHS 
Qualificato secondo JEDEC1) per applicazione target
Senza alogeni secondo IEC61249-2-21 
Ideale per commutazione ad alta frequenza e rettifica sincrona


Riepilogo prodotto
IPB107N20N3G Infineon Chip OptiMOS 3 Transistor di Potenza 175 °C temperatura operativa

IPB107N20N3G Infineon Chip OptiMOS 3 Transistor di Potenza 175 °C temperatura operativa

Valori massimi, a T j=25 °C, se non diversamente specificato
IPB107N20N3G Infineon Chip OptiMOS 3 Transistor di Potenza 175 °C temperatura operativa

IPB107N20N3G Infineon Chip OptiMOS 3 Transistor di Potenza 175 °C temperatura operativa

Caratteristiche elettriche, a T j=25 °C, se non diversamente specificato
IPB107N20N3G Infineon Chip OptiMOS 3 Transistor di Potenza 175 °C temperatura operativa