— ESD: 2 kV ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, क्लास 2) के अनुसार
— उच्च दक्षता वाला IR लाइटसोर्स
— डबल स्टैक एमिटर
— कम थर्मल प्रतिरोध (अधिकतम 14 K/W)
— सेंट्रोइड तरंग दैर्ध्य 850 nm
— छोटा पैकेज (LxWxH): 3.5mm x 3.5mm x 1.4mm
1. परिवेश के तापमान पर , डिवाइस की अधिकतम रेटिंग इस प्रकार निर्दिष्ट की गई हैं: ऑपरेटिंग तापमान (Top) न्यूनतम -40 °C से अधिकतम 85 °C तक होता है, जबकि स्टोरेज तापमान (Tstg) भी -40 °C से 85 °C तक होता है। अधिकतम जंक्शन तापमान (Tj) 145 °C है। अधिकतम फॉरवर्ड करंट (IF) 1000 mA है, और अधिकतम सर्ज करंट (IFSM) 3 A है, जो पल्स अवधि (tp) ≤ 300 μs और ड्यूटी साइकिल (D) 0.005 की शर्तों के तहत है। अधिकतम रिवर्स करंट (IR) 200 mA है, कुल बिजली की खपत (Ptot) 3.5 W है, और ESD सहन वोल्टेज (VESD) 2 kV है, जो ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, क्लास 2) के अनुरूप है। यह भी ध्यान दिया जाता है कि फॉरवर्ड करंट और बिजली की खपत के विवरण को "अधिकतम अनुमेय फॉरवर्ड करंट" आरेख से संदर्भित किया जाना चाहिए।
2. फॉरवर्ड करंट IF=1000mA, पल्स अवधि tp=10ms, और परिवेश तापमान की परीक्षण स्थितियों के तहत, डिवाइस निम्नलिखित प्रमुख विशेषताओं को प्रदर्शित करता है: पीक तरंग दैर्ध्य (λpeak) आमतौर पर 860 nm है, जबकि सेंट्रोइड तरंग दैर्ध्य (λcentroid) आमतौर पर 850 nm है, जिसमें 50% सापेक्ष अधिकतम तीव्रता (FWHM) पर स्पेक्ट्रल बैंडविड्थ 30 nm और आधा कोण (φ) 40∘ है। सक्रिय चिप क्षेत्र 1 × 1 mm × mm मापता है। IF=3A और लोड प्रतिरोध RL=50Ω पर, राइज़ टाइम (tr) और फॉल टाइम (tf) क्रमशः 12 ns और 15 ns हैं। फॉरवर्ड वोल्टेज (VF) का मानक स्थितियों में एक विशिष्ट मान 3.15 V (अधिकतम 3.5 V) है, और IF=3A और tp=100μs पर एक विशिष्ट मान 3.8 V (अधिकतम 4.6 V) है। अधिकतम रिवर्स वोल्टेज (VR) IR=20mA पर 1.2 V है, जबकि ESD डिवाइस (VRESD) के लिए न्यूनतम रिवर्स वोल्टेज 45 V है। कुल रेडियंट फ्लक्स (Φe) मानक स्थितियों में आमतौर पर 960 mW है, और IF=1A और tp=100μs पर 1020 mW है। वोल्टेज का तापमान गुणांक (TCV) आमतौर पर -2 mV/K है, चमक का तापमान गुणांक (TCI) आमतौर पर -0.3 %/K है, और तरंग दैर्ध्य का तापमान गुणांक (TCλ) आमतौर पर 0.3 nm/K है। जंक्शन से सोल्डर पॉइंट तक वास्तविक थर्मल प्रतिरोध (Rth,JS real) 14 K/W है।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
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