পণ্যের বিবরণ

বাড়ি পণ্য

ওসরাম এলইডি চিপ

OSLON SSL 80 GW CS8PM1.EM CRI 80 AMS-OSRAM 3030 LED চিপ ডায়োড 3V 3W, 2500K থেকে 5000K রঙের তাপমাত্রা

সকল বিভাগ

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

উচ্চ ক্ষমতা LED চিপ

আমাদের সাথে যোগাযোগ

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

এখনই যোগাযোগ করুন

সকল বিভাগ

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

OSLON SSL 80 GW CS8PM1.EM CRI 80 AMS-OSRAM 3030 LED চিপ ডায়োড 3V 3W, 2500K থেকে 5000K রঙের তাপমাত্রা

ব্র্যান্ডের নাম:	AMS-OSRAM
মডেল নম্বর:	GW CS8PM1.EM
MOQ:	600 পিসি
দাম:	CN¥3.24-4.20
প্যাকেজিং বিবরণ:	600PCS/রিফ
পেমেন্ট শর্তাবলী:	টি/টি

বিস্তারিত তথ্য

পণ্য বিবরণ

বিস্তারিত তথ্য

উৎপত্তি স্থল:

MY/CN/TW

কালার রেন্ডারিং ইনডেক্স (রা):

রঙের তাপমাত্রা:

2500K - 5000K

নির্গত রঙ:

ফরোয়ার্ড কারেন্ট:

ইনপুট ভোল্টেজ(V):

আলোকিত তীব্রতা:

200-300

শক্তি:

টাইপ:

এসএমডি এলইডি

পণ্যের নাম:

GW CS8PM1.EM

আবেদন:

- বিনোদন- ইন্ডোর লাইটিং- আউটডোর এবং ইন্ডাস্ট্রিয়াল লাইটিং

যোগানের ক্ষমতা:

100000

বিশেষভাবে তুলে ধরা:

CS8PM1.EM OSLON SSL LED

3030 CRI80 OSLON SSL LED

CRI80 3W OSLON SSL LED

পণ্য বিবরণ

এক নজরে হাইলাইটস

উচ্চতর কর্মক্ষমতা। কম তাপীয় প্রতিরোধ। ড্রাইভিং অবস্থার বিস্তৃত পরিসর। OSLON SSL পরিবারের এই নতুন প্রজন্মের LED একটি প্রি-ফোকাসড রেডিয়েশন প্যাটার্ন সরবরাহ করে যা এটিকে স্পট লাইটিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ পছন্দ করে তোলে।

প্যাকেজ: সিলিকন লেন্স সহ SMT সিরামিক প্যাকেজ

সাধারণ বিকিরণ: ৮০°

রঙের তাপমাত্রা: ২৫০০K - ৫০০০K

CRI: ৮০ (ন্যূনতম), ৮২ (সাধারণ), R9: ০ (ন্যূনতম)

আলোকিত ফ্লাক্স: সাধারণ ১৩৪ lm @ ৩০০০ K, ৮৫ °C

আলোকিত কার্যকারিতা: সাধারণ ১৩৪ lm/W @ ৩০০০ K, ৮৫ °C

OSLON SSL 80 OSRAM 3030 LED CHIP DIODE

রঙের তাপমাত্রা ২৫০০K থেকে ৫০০০K OSLON SSL 80 GW CS8PM1.EM CRI 80 AMS-OSRAM 3030 LED Chip Diode 3V 3W

OSLON®SSL 80

GW CS8PM1.EM

উচ্চতর কর্মক্ষমতা। কম তাপীয় প্রতিরোধ। বিস্তৃত পরিসর

ড্রাইভিং অবস্থার। OSLON SSL পরিবারের এই নতুন প্রজন্মের

LED একটি প্রি-ফোকাসড রেডিয়েশন প্যাটার্ন সরবরাহ করে যা এটিকে আদর্শ

স্পট লাইটিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পছন্দ করে।

অ্যাপ্লিকেশন

- বিনোদন

- অভ্যন্তরীণ আলো

- বহিরাগত ও শিল্প আলো

বৈশিষ্ট্য

- প্যাকেজ: সিলিকন লেন্স সহ SMT সিরামিক প্যাকেজ

- সাধারণ বিকিরণ: ৮০°

- রঙের তাপমাত্রা: ২৫০০K - ৫০০০K

- CRI: ৮০ (ন্যূনতম), ৮২ (সাধারণ), R9: ০ (ন্যূনতম)

- ESD: ৮ kV ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, ক্লাস 3B) অনুযায়ী

- আলোকিত ফ্লাক্স: সাধারণ ১৩৪ lm @ ৩০০০ K, ৮৫ °C

- আলোকিত কার্যকারিতা: সাধারণ ১৩৪ lm/W @ ৩০০০ K, ৮৫ °C

১. ডিভাইসের সর্বোচ্চ রেটিংগুলি নিম্নরূপ সংজ্ঞায়িত করা হয়েছে: অপারেটিং তাপমাত্রা (Topপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।) সর্বনিম্ন -৪০ °C থেকে সর্বোচ্চ ১২৫ °C পর্যন্ত বিস্তৃত, যখন স্টোরেজ তাপমাত্রা (Tstgপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।)ও -৪০ °C থেকে ১২৫ °C পর্যন্ত বিস্তৃত। পরম সর্বোচ্চ জাংশন তাপমাত্রা (Tj,absপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।) হল ১৬০ °C (৩০টি নমুনা পরীক্ষা করে যাচাই করা হয়েছে, যেখানে কোনও বিপর্যয়মূলক ব্যর্থতা নেই এবং ১০০০ ঘন্টা পরে L70B50 এর চেয়ে ভাল আলোকিত ফ্লাক্সের মানদণ্ড পূরণ করে), এবং সর্বোচ্চ অবিচ্ছিন্ন জাংশন তাপমাত্রা (Tjপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।) হল ১৩৫ °C। ৮৫ °C জাংশন তাপমাত্রায় (Tjপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।), ফরোয়ার্ড কারেন্ট (Fপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।) এর সর্বনিম্ন রেটিং ১০০ mA এবং সর্বোচ্চ ১৩০০ mA। সর্বোচ্চ সার্জ কারেন্ট (FFSপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।) হল ২০০০ mA, যেখানে পালস সময়কাল () ≤ ১০ μs, ডিউটি সাইকেল () ০.০০৫, এবং । সর্বোচ্চ রিভার্স কারেন্ট (IFth,JS elec.পরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।VFপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।২. ফরোয়ার্ড কারেন্ট

IFপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।৩৫০mA তে, ডিভাইসটি পাঁচটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ গ্রুপে (K2, L1, L2, M1, M2) বিভক্ত করা হয়েছে যেখানে সংজ্ঞায়িত ন্যূনতম এবং সর্বোচ্চ ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (, এর পরীক্ষার শর্তে, ডিভাইসটি নিম্নলিখিত মূল বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদর্শন করে: ৫০% আলোকিত তীব্রতায় দেখার কোণ (28IFপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।20Fপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।৩৫০mA তে, ডিভাইসটি পাঁচটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ গ্রুপে (K2, L1, L2, M1, M2) বিভক্ত করা হয়েছে যেখানে সংজ্ঞায়িত ন্যূনতম এবং সর্বোচ্চ ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (IFth,JS elec.পরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।20Fth,JS elec.পরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।৩৫০ তে, ডিভাইসটি পাঁচটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ গ্রুপে (K2, L1, L2, M1, M2) বিভক্ত করা হয়েছে যেখানে সংজ্ঞায়িত ন্যূনতম এবং সর্বোচ্চ ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (Rth,JS elec.পরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।ηeপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।৩৫০ তে ৪.২ K/W।৩. ফরোয়ার্ড কারেন্ট

ফরোয়ার্ড কারেন্ট IFপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।৩৫০mA তে, ডিভাইসটি পাঁচটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ গ্রুপে (K2, L1, L2, M1, M2) বিভক্ত করা হয়েছে যেখানে সংজ্ঞায়িত ন্যূনতম এবং সর্বোচ্চ ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ (VFপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।VFপরিসীমা ২.৭০ V থেকে ২.৮০ V, L1 গ্রুপ ২.৮০ V থেকে ২.৯০ V পর্যন্ত বিস্তৃত, L2 গ্রুপ ২.৯০ V থেকে ৩.০০ V পর্যন্ত, M1 গ্রুপ ৩.০০ V থেকে ৩.১০ V পর্যন্ত, এবং M2 গ্রুপ ৩.১০ V থেকে ৩.২০ V পর্যন্ত, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে নির্দিষ্ট করা সামগ্রিক ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ সীমার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।

ট্যাগ:

ওসরাম এলইডি চিপ

ক্রি LED চিপ

ST IC চিপস

টিআই চিপস

ব্রিজগেলাক্স এলইডি চিপ

ইনফাইনন চিপ

লুমিনাস LED চিপ

LED বাতি পুঁতি

স্যামসাং আইসি চিপস

মাইক্রোন চিপস

এসকে হাইনিক্স চিপস

Lumileds LED চিপ

স্যামসাং এলইডি চিপ

SEOUL LED চিপ

NICHIA LED চিপ

নেক্সপেরিয়া চিপস

ONsemi চিপস

ADI চিপস

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

উচ্চ ক্ষমতা LED চিপ

ওসরাম এলইডি চিপ

ক্রি LED চিপ

ST IC চিপস

টিআই চিপস

ব্রিজগেলাক্স এলইডি চিপ

ইনফাইনন চিপ

লুমিনাস LED চিপ

LED বাতি পুঁতি

স্যামসাং আইসি চিপস

মাইক্রোন চিপস

এসকে হাইনিক্স চিপস

Lumileds LED চিপ

স্যামসাং এলইডি চিপ

SEOUL LED চিপ

NICHIA LED চিপ

নেক্সপেরিয়া চিপস

ONsemi চিপস

ADI চিপস

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

উচ্চ ক্ষমতা LED চিপ

পণ্যের বিবরণ

OSLON SSL 80 GW CS8PM1.EM CRI 80 AMS-OSRAM 3030 LED চিপ ডায়োড 3V 3W, 2500K থেকে 5000K রঙের তাপমাত্রা

ওসরাম এলইডি চিপ

ক্রি LED চিপ

ST IC চিপস

টিআই চিপস

ব্রিজগেলাক্স এলইডি চিপ

ইনফাইনন চিপ

লুমিনাস LED চিপ

LED বাতি পুঁতি

স্যামসাং আইসি চিপস

মাইক্রোন চিপস

এসকে হাইনিক্স চিপস

Lumileds LED চিপ

স্যামসাং এলইডি চিপ

SEOUL LED চিপ

NICHIA LED চিপ

নেক্সপেরিয়া চিপস

ONsemi চিপস

ADI চিপস

টিএসএলসি সেমিলেডস এলইডি ল্যাম্প পুঁতি

উচ্চ ক্ষমতা LED চিপ

ওসরাম এলইডি চিপ

ক্রি LED চিপ

ST IC চিপস

টিআই চিপস

ব্রিজগেলাক্স এলইডি চিপ

ইনফাইনন চিপ

লুমিনাস LED চিপ

LED বাতি পুঁতি

স্যামসাং আইসি চিপস

মাইক্রোন চিপস

এসকে হাইনিক্স চিপস

Lumileds LED চিপ

স্যামসাং এলইডি চিপ

SEOUL LED চিপ

NICHIA LED চিপ

নেক্সপেরিয়া চিপস

ONsemi চিপস

ADI চিপস