3W হাই পাওয়ার AMS-OSRAM GH CSSRM6.24 LED চিপ 1ওয়াট হাইপার রেড অরিজিনাল হাই পাওয়ার 635-666nm

3W উচ্চ ক্ষমতা AMS-OSRAM GH CSSRM6.24 LED চিপ 1 ওয়াট হাইপার রেড মূল উচ্চ ক্ষমতা 635-666nm

2এই তথ্য পত্রের অংশে তথ্যেরবৈশিষ্ট্যOSRAM GH CSSRM6.24 ডিভাইসের পরিমাপআমিএফ​=700 mAএবংটিJ​=25 🙏সিঅপটিক্যাল পারফরম্যান্সের ক্ষেত্রে, ডিভাইসের একটি সাধারণ শীর্ষ তরঙ্গদৈর্ঘ্য রয়েছে (λশীর্ষ​) এর 660 এনএম, যখন কেন্দ্রীয় তরঙ্গদৈর্ঘ্য (λসেন্ট্রয়েড​) সর্বনিম্ন 646 এনএম থেকে সর্বোচ্চ 666 এনএম পর্যন্ত, 657 এনএম এর একটি আদর্শ মান সহআমিএফ​=700 mA. প্রভাবশালী তরঙ্গদৈর্ঘ্য (λডম​) একই সামনের প্রবাহের অধীনে 640 এনএম (সাধারণ) এবং বর্ণালী ব্যান্ডউইথ (Δλ) 50% আপেক্ষিক সর্বোচ্চ তীব্রতা 25 এনএম (সাধারণ), একটি দেখার কোণ (2φ) 120° (সাধারণত) 50% আলোর তীব্রতায়। বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য, সামনের ভোল্টেজ (Vএফ​) এআমিএফ​=700 mAসর্বনিম্ন ১.৮০ ভোল্ট থেকে সর্বোচ্চ ২.১০ ভোল্ট পর্যন্ত, যার একটি সাধারণ মান ১.৯৭ ভোল্ট; ডিভাইসটি স্পষ্টভাবে "বিপরীত প্রবাহের অধীনে বিপরীত কাজ করার জন্য ডিজাইন করা হয়নি" (আমিR​) পরামিতি। উপরন্তু, সংযোগ থেকে লোডিং পয়েন্ট পর্যন্ত বৈদ্যুতিক তাপ প্রতিরোধের (Rএইচজেএস ইলেক।​) হল 1.1 K/W (সাধারণ), একটি দক্ষতার সাথে প্রাপ্ত (ηই​) এর 78.8%, যা অপারেশন চলাকালীন দক্ষ তাপ ব্যবস্থাপনাকে সমর্থন করে।

3OSRAM GH CSSRM6.24 ডেটাশেটের এই বিভাগেউজ্জ্বলতা গ্রুপ, মূল অপটিক্যাল এবং দক্ষতা মেট্রিক দ্বারা সংজ্ঞায়িতআমিএফ​=700 mAতিনটি উজ্জ্বলতা গ্রুপ নির্দিষ্ট করা হয়ঃ V8, V9, এবং A2, প্রতিটি মোট বিকিরণ প্রবাহের জন্য পৃথক পরিসীমা (Φই​), ফটোসিন্থেটিক ফোটন ফ্লাক্স (পিপিএফ),Φপি​), এবং ফোটন ফ্লাক্স (পিএফ,Φপি,b​) গ্রুপ ভি 8 এর মোট রেডিয়েন্ট ফ্লাক্স ব্যাপ্তি 1035 ′′ 1075 এমডাব্লু, পিপিএফ 5.66 ′′ 5.88 μmol / s (সাধারণ পিপিএফ / ডাব্লু 4.19 μmol / J) এবং পিএফ 5.68 ′′ 5.90 μmol / s (সাধারণ পিএফ / ডাব্লু 4.20 μmol / J) জুড়ে।গ্রুপ V9 1075 ′′ 1120 mW এর মোট বিকিরণ প্রবাহকে কভার করে, PPF 5.88 ¢ 6.13 μmol/s (সাধারণ PPF/W 4.35 μmol/J) এবং PF 5.90 ¢ 6.14 μmol/s (সাধারণ PF/W 4.36 μmol/J) । সর্বোচ্চ পারফরম্যান্স গ্রুপ, A2, 1120 ¢ 1165 mW এর মোট বিকিরণ প্রবাহ সরবরাহ করে,পিপিএফ ৬.13·6.37 μmol/s (সাধারণ PPF/W 4.53 μmol/J) এবং PF 6.14·6.39 μmol/s (সাধারণ PF/W 4.54 μmol/J) । সংলগ্ন নোটগুলিতে স্পষ্ট করা হয়েছে যে PPF ([*]) 400 থেকে 700 nm এর মধ্যে তরঙ্গদৈর্ঘ্যের জন্য দায়ী,যখন PF ([**]) 280 থেকে 800 এনএম পর্যন্ত তরঙ্গদৈর্ঘ্য অন্তর্ভুক্ত করে, যা ফোটন ফ্লাক্সের পরিমাপের জন্য একটি পরিষ্কার প্রেক্ষাপট নিশ্চিত করে।

4. এই বিভাগে বিস্তারিতভাবেসামনের ভোল্টেজ গ্রুপOSRAM GH CSSRM6.24 ডিভাইসের, সামনের ভোল্টেজ দ্বারা সংজ্ঞায়িত (Vএফ​) পরিসীমা পরিমাপআমিএফ​=700 mA. তিনটি স্বতন্ত্র ভোল্টেজ গ্রুপ নির্দিষ্ট করা হয়ঃ গ্রুপ E1 একটি ন্যূনতম 1.80 V থেকে সর্বাধিক 1.90 V পর্যন্ত একটি সামনের ভোল্টেজ পরিসীমা জুড়ে, গ্রুপ E2 1.90 V থেকে 2.00 V পর্যন্ত স্প্যান,এবং গ্রুপ এফ১ এর পরিসীমা ২.00 ভোল্ট থেকে 2.10 ভোল্ট পর্যন্ত। এই গোষ্ঠীগুলি তাদের বৈদ্যুতিক পারফরম্যান্সের উপর ভিত্তি করে ডিভাইসগুলির সুনির্দিষ্ট বন্ডিংয়ের অনুমতি দেয়,প্রতিটি প্যাকিং ইউনিটের মধ্যে সামঞ্জস্যপূর্ণ সামনের ভোল্টেজ বৈশিষ্ট্যগুলি নিশ্চিত করা এবং লক্ষ্য অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে নির্ভরযোগ্য সংহতকরণকে সমর্থন করা.